[發(fā)明專(zhuān)利]一種直拉硅單晶用爐蓋及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010150307.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113355735B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李曉東;韓凱;景吉祥;趙志遠(yuǎn);鐘旭;盧佳鋒;康學(xué)兵;田鑫陽(yáng);賈國(guó)華 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C30B15/00 | 分類(lèi)號(hào): | C30B15/00;C30B29/06;F27D1/18 |
| 代理公司: | 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 010070 內(nèi)蒙古自*** | 國(guó)省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 直拉硅單晶用爐蓋 及其 制作方法 | ||
1.一種直拉硅單晶用爐蓋,包括蓋體,其特征在于,在所述蓋體靠近晶體一側(cè)設(shè)有用于防止所述蓋體直接長(zhǎng)時(shí)間暴露在高溫環(huán)境下形成游離的金屬離子的疊層內(nèi)襯,所述疊層內(nèi)襯設(shè)置在所述蓋體內(nèi)壁并沿所述蓋體徑向圓周設(shè)置;
所述疊層內(nèi)襯還包括置于導(dǎo)流筒斜上方且沿水冷套外壁方向與所述蓋體交叉的區(qū)域;
所述內(nèi)涂層厚度大于所述外涂層厚度;所述內(nèi)涂層厚度為30-50mm;所述外涂層厚度為10-20mm;
所述內(nèi)涂層為二氧化硅涂層;所述外涂層為氫氧化鋇涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的爐蓋,其特征在于,所述疊層內(nèi)襯包括內(nèi)涂層和外涂層,所述內(nèi)涂層靠近所述蓋體設(shè)置,所述外涂層置于所述內(nèi)涂層遠(yuǎn)離所述蓋體一側(cè)設(shè)置;所述內(nèi)涂層和所述外涂層與所述蓋體內(nèi)壁相適配,均為環(huán)形結(jié)構(gòu)。
3.一種用于如權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的爐蓋疊層內(nèi)襯的制作方法,其特征在于,包括:
清理所述蓋體內(nèi)側(cè)表皮的步驟;
對(duì)清理后的所述蓋體進(jìn)行熔射,執(zhí)行噴槍設(shè)備在所述蓋體內(nèi)側(cè)噴涂形成所述疊層內(nèi)襯的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法,其特征在于,清理所述蓋體內(nèi)側(cè)表皮包括利用噴砂機(jī)對(duì)所述蓋體內(nèi)壁進(jìn)行噴灑處理,去除所述蓋體表面金屬雜質(zhì);
再將所述蓋體清洗、烘干。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法,其特征在于,噴涂所述疊層內(nèi)襯包括使用所述噴槍設(shè)備以二氧化硅粉為原料噴涂一層厚度為30-50mm的所述內(nèi)涂層;再在所述內(nèi)涂層的基礎(chǔ)上使用所述噴槍設(shè)備以氫氧化鋇溶液為原料噴涂一層厚度為10-20mm的所述外涂層,所述氫氧化鋇溶液為飽和溶液。
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