[發(fā)明專利]一種貴金屬增強(qiáng)型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)氣體傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010150046.7
• 申請(qǐng)日: 2020-03-06
• 公開（公告）號(hào): CN111272827B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉黎明;惠裕充;遲鋒;易子川;張智
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)中山學(xué)院
• 主分類號(hào): G01N27/12
• 分類號(hào): G01N27/12
• 代理公司: 重慶萃智邦成專利代理事務(wù)所(普通合伙) 50231
• 代理人: 舒夢(mèng)來

1.一種貴金屬增強(qiáng)型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)氣體傳感器，其特征在于：包括基底層（1），所述基底層（1）的上方設(shè)置有半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)（2），所述半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)（2）的上方設(shè)置有多個(gè)間隔排列的貴金屬塊（7）,所述基底層（1） 與半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)（2）之間還設(shè)置有相互間隔的第一電極（3）、第二電極（4）；所述半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)（2）包括半導(dǎo)體層（5），設(shè)置于半導(dǎo)體層（5）上方的多個(gè)相互間隔的半導(dǎo)體塊（6）；所述半導(dǎo)體塊（6）為周期排列；所述貴金屬塊（7）設(shè)置于半導(dǎo)體層（5）的上方；所述貴金屬塊（7）與半導(dǎo)體塊（6）間隔排列，所述貴金屬塊（7）的高度高于所述半導(dǎo)體塊（6）的高度；所述半導(dǎo)體層（5）和貴金屬塊（7）形成肖特基結(jié)，所述半導(dǎo)體層（5）中電子的能級(jí)比貴金屬塊（7）的功函數(shù)低，通過光垂直入射貴金屬塊（7）引發(fā)表面等離激元共振，從而在貴金屬塊（7）表面聚集形成強(qiáng)電場(chǎng)。

2.如權(quán)利要求 1 所述的一種貴金屬增強(qiáng)型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)氣體傳感器， 其特征在于：所述半導(dǎo)體層（5）與半導(dǎo)體塊（6）為不同的半導(dǎo)體材料制成。

3.如權(quán)利要求 1 所述的一種貴金屬增強(qiáng)型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)氣體傳感器， 其特征在于：所述半導(dǎo)體層（5）的價(jià)帶和導(dǎo)帶均高于半導(dǎo)體塊（6）的價(jià)帶和導(dǎo)帶。

4.如權(quán)利要求 1 所述的一種貴金屬增強(qiáng)型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)氣體傳感器， 其特征在于：所述半導(dǎo)體層（5）是二氧化鈦（TiO₂）制成，所述半導(dǎo)體塊（6）是二硫化鎢制成。

5.如權(quán)利要求 1 所述的一種貴金屬增強(qiáng)型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)氣體傳感器， 其特征在于：所述貴金屬塊（7）為周期排列。

6.如權(quán)利要求 1 所述的一種貴金屬增強(qiáng)型半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)氣體傳感器， 其特征在于：所述貴金屬塊（7）為楔形。