[發明專利]太陽能電池的制造方法

在審

• 申請號: 202010149849.0
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN111341880A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 殷涵玉;李宏偉;何勝;徐偉智;黃海燕;陸川
• 申請（專利權）人: 浙江正泰太陽能科技有限公司;海寧正泰新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/311;H01L21/02
• 代理公司: 北京元合聯合知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11653
• 代理人: 李非非

1.一種太陽能電池的制造方法，其中，該太陽能電池的制造方法包括：

對硅片進行制絨及擴散；

在硅片的正面形成重摻雜區域并生成氧化層；

利用酸性溶液去除硅片背面的硅磷玻璃并利用堿性溶液拋光；

利用酸性溶液去除硅片正面的硅磷玻璃及重摻雜區域表面覆蓋的氧化層；

依次在硅片的背面沉積氧化鋁膜、在硅片的正面沉積氮化硅減反射膜及在硅片的背面沉積氮化硅保護膜；

利用激光去除硅片背面指定區域的疊層膜；

印刷硅片兩面的電極并燒結。

2.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中，所述在硅片的正面形成重摻雜區域并生成氧化層，包括：

將擴散后的硅片進行激光摻雜，將附著在硅片正面硅磷玻璃中的磷原子擴散至硅片內，以在柵線區域形成重摻雜區域；

利用臭氧氣體對具有重摻雜區域的硅片進行氧化，以在重摻雜區域表面生成氧化層。

3.如權利要求2所述的太陽能電池的制造方法，其中，所述激光的波長為532納米。

4.如權利要求2所述的太陽能電池的制造方法，其中，所述利用臭氧氣體對具有重摻雜區域的硅片進行氧化，以在重摻雜區域表面生成氧化層，包括：

將具有重摻雜區域的硅片放置于臭氧濃度為20-350毫克/升的臭氧氣氛中0.1-60秒，以在重摻雜區域表面生成厚度為1-5納米的氧化層。

5.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中，所述在硅片的正面形成重摻雜區域并生成氧化層，包括：

將硅片放置在含有臭氧的氣氛中，利用激光將硅片正面硅磷玻璃中的磷原子擴散到硅片中，同時利用臭氧在激光摻雜后的硅片表面迅速氧化生成氧化層。

6.如權利要求5所述的太陽能電池的制造方法，其中，所述將硅片放置在含有臭氧的氣氛中，利用激光將硅片正面硅磷玻璃中的磷原子擴散到硅片中，同時利用臭氧在激光摻雜后的硅片表面迅速氧化生成氧化層，包括：

將硅片放置于濃度為20-350毫克/升的臭氧氣氛中，利用激光將硅片正面硅磷玻璃中的磷原子擴散到硅片中，同時利用臭氧在激光摻雜后的硅片表面迅速氧化生成厚度為1-25納米的氧化層。

7.如權利要求5所述的太陽能電池的制造方法，其中，所述激光的波長為532納米。

8.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中，所述堿性溶液為TMAH溶液，所述TMAH溶液的濃度為1％-60％、溫度為40℃-95℃。

9.如權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中，所述酸性溶液為HF溶液，所述HF溶液的濃度為2％-20％。