[發(fā)明專利]顯示設(shè)備和制造該顯示設(shè)備的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010149716.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111697164A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金泰奎;金光福;李元熙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/56 | 分類號(hào): | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 程月;韓芳 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 設(shè)備 制造 方法 | ||
1.一種制造顯示設(shè)備的方法,所述方法包括以下步驟:
在第一母基底的表面上形成均包括發(fā)光二極管的多個(gè)顯示器;
準(zhǔn)備第二母基底;
在所述第一母基底和所述第二母基底中的至少一個(gè)的表面上形成第一密封區(qū)域,其中,所述第一密封區(qū)域圍繞所述多個(gè)顯示器中的每個(gè)并包括玻璃料;
通過(guò)輻射第一激光束而使所述第一密封區(qū)域中的所述玻璃料熔化,將所述第一母基底第一次結(jié)合到所述第二母基底;以及
通過(guò)將第二激光束部分地輻射到所述第一密封區(qū)域的內(nèi)部而形成第二密封區(qū)域,將所述第一母基底第二次結(jié)合到所述第二母基底,在所述第二密封區(qū)域中所述玻璃料與所述第一母基底和/或所述玻璃料與所述第二母基底被熔化并且彼此混合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,
所述第一密封區(qū)域包括布置為接近所述多個(gè)顯示器中的每個(gè)的第一端和布置為距所述多個(gè)顯示器中的每個(gè)遠(yuǎn)端的第二端,并且
所述第二激光束的中心從比所述第二端更靠近所述第一端的位置沿著所述第二激光束所行進(jìn)的路徑移動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述第二激光束的所述中心位于與從所述第一端起的所述第一密封區(qū)域的寬度的1/4對(duì)應(yīng)的點(diǎn)和與從所述第一端起的所述第一密封區(qū)域的所述寬度的1/2對(duì)應(yīng)的點(diǎn)之間,并沿著所述第二激光束所行進(jìn)的所述路徑移動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第二激光束的寬度比所述第一激光束的寬度小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第二激光束的頻率比所述第一激光束的頻率高。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第一激光束是連續(xù)波激光束。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第二激光束是飛秒激光束。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第一密封區(qū)域具有圍繞所述多個(gè)顯示器中的每個(gè)的外圍的閉環(huán)形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第二密封區(qū)域連續(xù)地形成在所述第一密封區(qū)域中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第二密封區(qū)域不連續(xù)地形成在所述第一密封區(qū)域中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,當(dāng)從與所述第一母基底的主表面垂直的表面觀看所述第二密封區(qū)域時(shí),所述第二密封區(qū)域形成為包括從所述玻璃料與所述第一母基底接觸所在的表面朝向所述第一母基底突出的部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,當(dāng)從與所述第二母基底的主表面垂直的表面觀看所述第二密封區(qū)域時(shí),所述第二密封區(qū)域形成為包括從所述玻璃料與所述第二母基底接觸所在的表面朝向所述第二母基底突出的部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,
當(dāng)從與所述第一母基底的主表面垂直的表面觀看所述第二密封區(qū)域時(shí),所述第二密封區(qū)域形成為包括從所述玻璃料與所述第一母基底接觸所在的表面朝向所述第一母基底突出的部分,并且
當(dāng)從與所述第二母基底的主表面垂直的表面觀看所述第二密封區(qū)域時(shí),所述第二密封區(qū)域形成為包括從所述玻璃料與所述第二母基底接觸所在的表面朝向所述第二母基底突出的部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,所述方法還包括在將所述第一母基底第二次結(jié)合到所述第二母基底之后,針對(duì)所述多個(gè)顯示器中的每個(gè)切割所述第一母基底和所述第二母基底。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,所述方法還包括針對(duì)所述多個(gè)顯示器中的每個(gè)切割所述第一母基底和所述第二母基底,其中,對(duì)所述多個(gè)切割并分開(kāi)的顯示器中的每個(gè)執(zhí)行將所述第一母基底第二次結(jié)合到所述第二母基底的步驟。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
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