[發明專利]一種集成式立體Micro LED及其制作方法

在審

• 申請號: 202010149447.0
• 申請日: 2020-03-06
• 公開（公告）號: CN111312741A
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 仇美懿;莊家銘
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/50
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓;李素蘭

1.一種集成式立體Micro LED，其特征在于，包括導電襯底、阻擋層、外延層、透明導電層、遮擋層、第一電極和第二電極：

所述導電襯底設有若干個孔洞，所述孔洞從導電襯底的表面刻蝕到導電襯底的內部，所述阻擋層設置在孔洞以外的導電襯底正面上，所述外延層設置在孔洞內并與導電襯底形成導電連接，所述外延層不高于所述阻擋層，所述阻擋層由擋光絕緣材料制成；

所述透明導電層設置在阻擋層和外延層上，以將若干個外延層形成導電連接；

所述遮擋層貫穿所述透明導電層并設置在阻擋層上，以防止外延層側壁漏光；

所述第一電極設置在透明導電層上，所述第二電極設置在導電襯底的背面。

2.如權利要求1所述的集成式立體Micro LED，其特征在于，所述導電襯底由硅制成，所述阻擋層由氮化硅制成。

3.如權利要求2所述的集成式立體Micro LED，其特征在于，所述導電襯底的厚度為80～150μm，所述孔洞的深度為5～10μm。

4.如權利要求2所述的集成式立體Micro LED，其特征在于，所述阻擋層的厚度為100～300nm。

5.如權利要求1所述的集成式立體Micro LED，其特征在于，所述透明導電層由ITO、AzO、ZnO、Ni-Au合金和Ru-Au合金中的一種或幾種制成。

6.如權利要求1所述的集成式立體Micro LED，其特征在于，所述遮擋層由黑色不透光材料制成，所述遮擋層的厚度為7～15μm。

7.如權利要求1所述的集成式立體Micro LED，其特征在于，所述第一電極的結構為Cr/Pt/Au，其厚度為2-50nm/30-150nm/500-3000nm；

所述第二電極的結構為Al/Ti/Pt/Au，其厚度為100-300nm/50-100nm/30-150nm/800-1200nm。

8.如權利要求1所述的集成式立體Micro LED，其特征在于，還包括保護層和量子點，所述保護層由絕緣材料制成，其覆蓋在透明導電層上；

所述量子點設置在外延層上方的保護層上，外延層發出的光經過量子點后出射。

9.一種集成式立體Micro LED的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

一、通過長晶的方式形成導電襯底，對所述導電襯底進行刻蝕，形成若干個第一孔洞；

二、在第一孔洞以外的導電襯底上形成阻擋層，所述阻擋層由擋光絕緣材料制成；

三、在第一孔洞內形成外延層，所述外延層與導電襯底形成導電連接；

四、在阻擋層和外延層上形成透明導電層，以將若干個外延層形成導電連接；

五、對外延層以外的透明導電層進行刻蝕，刻蝕至阻擋層的表面，形成第二孔洞，在第二孔洞內形成遮擋層；

六、在透明導電層上形成第一電極，在導電襯底的背面形成第二電極。

10.如權利要求的集成式立體Micro LED的制作方法，其特征在于，所述孔洞的深度為5～10μm，所述阻擋層的厚度為100～300nm。