[發明專利]圖像傳感器

在審

• 申請號: 202010149238.6
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN111668245A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 陳暎究;權容鉉;金永燦;金世英;徐圣永;林茂燮;鄭泰燮;崔成浩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/369
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 范心田

1.一種圖像傳感器，包括多個像素，所述多個像素中的至少一個包括：

光電二極管，被配置為響應于光而產生電荷；以及

像素電路，包括：存儲晶體管，被配置為存儲由所述光電二極管產生的電荷；以及轉移晶體管，連接在所述存儲晶體管與浮置擴散節點之間，

其中，當所述轉移晶體管處于關斷狀態時，所述存儲晶體管與所述轉移晶體管之間的邊界區域的電勢具有第一電勢，而當所述轉移晶體管處于接通狀態時，所述存儲晶體管與所述轉移晶體管之間的邊界區域的電勢具有低于所述第一電勢的第二電勢。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述轉移晶體管的柵極包括朝向所述存儲晶體管突出的第一柵極區域和連接到所述第一柵極區域的第二柵極區域，并且

其中，所述第一柵極區域設置在所述邊界區域上。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其中，所述轉移晶體管的第一柵極區域設置在所述存儲晶體管的有源區域的至少一部分上。

4.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其中，在所述轉移晶體管中，所述第一柵極區域的寬度小于所述第二柵極區域的寬度。

5.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其中，所述存儲晶體管的柵極提供容納所述轉移晶體管的所述第一柵極區域的空間。

6.根據權利要求5所述的圖像傳感器，其中，所述存儲晶體管的有源區域包括：

與所述第一柵極區域相鄰的第一雜質區域，以及

雜質濃度低于所述第一雜質區域的雜質濃度的第二雜質區域。

7.根據權利要求6所述的圖像傳感器，其中，在所述存儲晶體管中，所述第一雜質區域由所述第二雜質區域圍繞。

8.根據權利要求6所述的圖像傳感器，其中，所述存儲晶體管的第一雜質區域的至少一部分設置在所述轉移晶體管的所述第一柵極區域下方。

9.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述存儲晶體管的有源區域包括：

與所述轉移晶體管的柵極相鄰的第一雜質區域，以及

雜質濃度低于所述第一雜質區域的雜質濃度的第二雜質區域，并且

所述第一雜質區域設置在所述邊界區域上。

10.根據權利要求9所述的圖像傳感器，其中，在所述存儲晶體管中，所述第一雜質區域的面積小于所述第二雜質區域的面積。

11.根據權利要求9所述的圖像傳感器，其中，所述像素電路還包括連接在所述光電二極管與所述存儲晶體管之間的中間轉移晶體管，并且

其中，所述中間轉移晶體管的有源區域包括第三雜質區域和第四雜質區域，所述第三雜質區域與所述存儲晶體管相鄰，所述第四雜質區域的雜質濃度低于所述第三雜質區域的雜質濃度。

12.根據權利要求9所述的圖像傳感器，其中，所述像素電路還包括連接在所述光電二極管與第一電源節點之間的溢出晶體管，以及

其中，所述溢出晶體管的有源區域包括第五雜質區域和第六雜質區域，所述第五雜質區域與所述第一電源節點相鄰，所述第六雜質區域的雜質濃度低于所述第五雜質區域的雜質濃度。

13.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述多個像素中的每一個包括像素電路，所述像素電路包括所述存儲晶體管和所述轉移晶體管，以及

其中，所述多個像素共享所述光電二極管。

14.根據權利要求13所述的圖像傳感器，其中，所述多個像素中的至少一個包括轉移柵極，所述轉移柵極包括朝向所述存儲晶體管突出的第一柵極區域和連接到所述第一柵極區域的第二柵極區域。