[發明專利]存儲設備、操作存儲設備的方法及存儲系統

在審

• 申請號: 202010149237.1
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN111679786A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 柳鶴洙;金南昇;孫教民;吳成一;李碩漢
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F13/16
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

1.一種存儲設備，包括：

存儲單元陣列，包括第一存儲區域和第二存儲區域；

信號線，被配置為從位于所述存儲設備外部的源接收命令和地址；

模式選擇器電路，被配置為基于與所述命令一起接收的地址生成用于控制所述存儲設備進入內部處理模式的處理模式選擇信號；

命令轉換器電路，被配置為響應于所述處理模式選擇信號的激活將接收到的所述命令轉換為內部處理操作命令；以及

內部處理器，被配置為在所述內部處理模式下響應于所述內部處理操作命令在所述第一存儲區域上執行內部處理操作。

2.根據權利要求1所述的存儲設備，其中，所述信號線與存儲器物理層接口連接，所述存儲器物理層接口支持雙倍數據速率DDR協議或低功率雙倍數據速率LPDDR協議，并且所述存儲器物理層接口位于所述存儲設備外部。

3.根據權利要求1所述的存儲設備，其中，所述模式選擇器電路響應于特定地址生成所述處理模式選擇信號，所述特定地址包括在與所述命令一起接收的地址中，并且將所述第一存儲區域和所述第二存儲區域彼此區分。

4.根據權利要求3所述的存儲設備，其中

所述存儲單元陣列包括堆疊存儲層，

所述堆疊存儲層包括公共通道、硅通孔和與所述硅通孔電連接的電極焊盤，并且在所述公共通道中，根據堆疊標識信號選擇性地訪問屬于所述第一存儲區域的堆疊存儲層和屬于所述第二存儲區域的堆疊存儲層，以及

所述特定地址包括用于訪問屬于所述第一存儲區域的堆疊存儲層的堆疊標識信號。

5.根據權利要求3所述的存儲設備，其中

所述存儲單元陣列包括堆疊存儲層，

所述堆疊存儲層包括公共通道、硅通孔和與所述硅通孔電連接的電極焊盤，并且在所述公共通道中，根據通道地址選擇性地訪問屬于所述第一存儲區域的堆疊存儲層和屬于所述第二存儲區域的堆疊存儲層，以及

所述特定地址包括用于訪問屬于所述第一存儲區域的堆疊存儲層的通道地址。

6.根據權利要求3所述的存儲設備，其中

所述存儲單元陣列包括多個存儲體，

在所述存儲體中，根據存儲體地址選擇性地訪問屬于所述第一存儲區域的存儲體和屬于所述第二存儲區域的存儲體，以及

所述特定地址包括用于訪問屬于所述第一存儲區域的存儲體的存儲體地址。

7.根據權利要求3所述的存儲設備，其中，通過所述特定地址將所述第一存儲區域和所述第二存儲區域設置為固定區域。

8.根據權利要求3所述的存儲設備，其中，通過所述特定地址將所述第一存儲區域和所述第二存儲區域設置為可變區域。

9.根據權利要求3所述的存儲設備，其中，當與所述命令一起接收的地址中不包括所述特定地址時，所述模式選擇器電路去激活所述處理模式選擇信號，使得所述存儲設備進入普通模式。

10.根據權利要求1所述的存儲設備，其中

所述存儲設備通過所述信號線順序接收第一命令，并順序接收與順序接收的所述第一命令分別對應的地址，以及

所述模式選擇器電路確定順序接收的地址是否與內部處理模式進入碼和內部處理模式退出碼一致，并基于所述確定的結果生成所述處理模式選擇信號。

11.根據權利要求10所述的存儲設備，其中，當所述順序接收的地址與所述內部處理模式進入碼一致，并且所述順序接收的地址與所述內部處理模式退出碼不一致時，所述模式選擇器電路激活所述處理模式選擇信號。

12.根據權利要求10所述的存儲設備，其中，當所述順序接收的地址與所述內部處理模式進入碼不一致時，或者當所述順序接收的地址與所述內部處理模式退出碼一致時，所述模式選擇器電路去激活所述處理模式選擇信號，使得所述存儲設備進入普通模式。