[發明專利]N溝道的溝槽型VDMOS和溝槽型IGBT在審
| 申請號： | 202010148527.4 | 申請日： | 2020-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN113363322A | 公開（公告）日： | 2021-09-07 |
| 發明（設計）人： | 王學良;閔亞能;劉建華;郎金榮 | 申請（專利權）人： | 上海先進半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人： | 薛琦;張冉 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝道 溝槽 vdmos igbt | ||
【權利要求書】：
1.一種N溝道的溝槽型VDMOS，包括p base區，其特征在于，所述p base區的溝道內埋有至少一個n島，所述n島為n型區，所述n型區采用n型半導體元素形成。
2.如權利要求1所述的N溝道的溝槽型VDMOS，其特征在于，所述n型半導體元素包括氫元素、五族元素中的至少一種。
3.如權利要求1所述的N溝道的溝槽型VDMOS，其特征在于，所述p base區的溝道內埋有多個所述n島，多個所述n島間隔設置。
4.如權利要求3所述的N溝道的溝槽型VDMOS，其特征在于，每個所述n島采用氫元素、五族元素中的至少一種形成。
5.一種N溝道的溝槽型IGBT，包括p base區，其特征在于，所述p base區的溝道內埋有至少一個n島，所述n島為n型區，所述n型區采用n型半導體元素形成。
6.如權利要求5所述的N溝道的溝槽型IGBT，其特征在于，所述n型半導體元素包括氫元素、五族元素中的至少一種。
7.如權利要求5所述的N溝道的溝槽型IGBT，其特征在于，所述p base區的溝道內埋有多個所述n島，多個所述n島間隔設置。
8.如權利要求7所述的N溝道的溝槽型IGBT，其特征在于，每個所述n島采用氫元素、五族元素中的至少一種形成。
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