[發明專利]半導體器件的形成方法

在審

• 申請號: 202010148370.5
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN113363203A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 金吉松;亞伯拉罕·庾
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蝕層，所述待刻蝕層包括相鄰的第一區和第二區，且所述第一區和所述第二區鄰接；

在所述待刻蝕層上形成第一掩膜層；

在所述第一區的所述第一掩膜層上形成圖形化的核心層；

在所述核心層頂部和側壁表面、以及所述第一掩膜層表面形成側墻材料層；

在所述第二區的所述第一掩膜層表面的所述側墻材料層上形成第一犧牲層；

在所述側墻材料層上形成第二犧牲層，所述第二犧牲層露出所述核心層頂部表面的所述側墻材料層、以及所述第一犧牲層頂部；

去除所述第一犧牲層、所述第二區的所述第一掩膜層表面的所述側墻材料層以及所述核心層頂部表面的所述側墻材料層；

去除所述核心層；

刻蝕所述第一區的所述第一掩膜層，形成第一槽；

刻蝕所述第二區的所述第一掩膜層，形成第二槽。

2.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一犧牲層的步驟包括：

在所述側墻材料層表面形成第一犧牲材料層；

在所述第一犧牲材料層上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層覆蓋所述第二區的所述第一犧牲材料層；

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕所述第一犧牲材料層，在所述第二區的所述第一掩膜層表面的所述側墻材料層上形成第一犧牲層。

3.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二犧牲層的步驟包括：

在所述側墻材料層表面以及所述第一犧牲層表面形成第二犧牲材料層；

回刻蝕所述第二犧牲材料層，至露出所述核心層頂部表面的所述側墻材料層、以及所述第一犧牲層頂部，形成第二犧牲層。

4.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層的材料包括旋涂碳或旋涂玻璃或旋涂有機物或旋涂金屬氧化物。

5.如權利要求4所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，去除所述第一犧牲層的方法至少包括干法刻蝕和濕法刻蝕的其中一種。

6.如權利要求3所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二犧牲層的材料包括旋涂碳或旋涂玻璃或旋涂有機物或旋涂金屬氧化物。

7.如權利要求6所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，回刻蝕所述第二犧牲材料層的方法至少包括干法刻蝕和濕法刻蝕的其中一種。

8.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述側墻材料層的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化鈦、氮化鈦、氮化鋁或氧化鋁。

9.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一槽和所述第二槽后，還包括：去除所述第二犧牲層以及所述核心層側壁表面的所述側墻材料層。

10.如權利要求9所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，還包括：刻蝕所述第一槽底部的所述待刻蝕層，在所述第一區的所述待刻蝕層中形成第一目標槽；刻蝕所述第二槽底部的所述待刻蝕層，在所述第二區的所述待刻蝕層中形成第二目標槽。

11.如權利要求10所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，還包括：在所述第一目標槽中形成第一導電層；在所述第二目標槽中形成第二導電層。

12.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述核心層的材料包括無定形硅、多晶硅、氮化硅、氧化硅、無定形碳或含氮氧化硅的其中一種或多種組合。

13.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料包括氧化硅、氮化鈦、碳化鎢、碳化硅、氮碳化硅、碳氧化硅、氧化鋁或氮化鋁的其中一種或多種組合。