[發明專利]一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置

在審

• 申請號: 202010148099.5
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN113363264A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 盧鑫泓;曹占鋒;王珂;王久石;朱小研
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/15;G09F9/33
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

本申請公開了一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置，所述陣列基板劃分為發光單元區、綁定區和連接在發光單元區和綁定區之間的彎折區；所述陣列基板包括襯底基板、有機材料層、金屬中間層；所述金屬中間層位于所述有機材料層遠離所述襯底基板的一側；其中，所述發光單元區被配置為設置發光單元，所述綁定區用于與控制電路綁定，第一保護層，位于所述金屬中間層和所述有機材料層之間；第二保護層，位于所述金屬中間層遠離所述襯底基板的一側；樹脂絕緣層，位于所述第二保護層遠離金屬中間層一側；所述襯底基板位于所述彎折區的部分被去除。采用本申請的方案能簡單方便實現彎折基板的制備，相比現有方案的難度大大降低。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體地，涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置。

背景技術

為了適應顯示器輕薄化的發展趨勢，在LCD之后出現了微LED(包括Micro LED和Mini LED)技術。微LED技術的一大優勢在于可以實現拼接，用一定數量的小尺寸基板來實現超大面板的顯示。其中能將LED的尺寸微縮至100um以下，尺寸約為現有LED尺寸的1％，再通過巨量轉移技術，將微米量級的Micro LED/Mini LED轉移到驅動基板上，從而形成各種不同尺寸的Micro LED/Mini LED顯示器。而且其中，Mini LED還可以作為LCD的背光，由于其可以做到微區域的亮度明暗控制，使LCD的對比度達到甚至超過OLED的水平。

不過，如圖1所示，在多個包括微LED的陣列基板拼接形成大尺寸顯示器時，由于單個陣列基板具有邊框，故在相鄰基板之間必然存在拼接縫。為了更好的顯示效果，需要將拼接縫盡量消除。

發明內容

鑒于現有技術中微LED技術中陣列基板的上述缺陷或不足，本申請提供了一種陣列基板，所述陣列基板被劃分為發光單元區、綁定區和連接在發光單元區和綁定區之間的彎折區；所述陣列基板包括襯底基板、有機材料層、金屬中間層；所述金屬中間層位于所述有機材料層遠離所述襯底基板的一側；

其中，所述發光單元區被配置為設置發光單元，所述綁定區用于與控制電路綁定，其特征在于：

第一保護層，位于所述金屬中間層和所述有機材料層之間；第二保護層，位于所述金屬中間層遠離所述襯底基板的一側；

樹脂絕緣層，位于所述第二保護層遠離金屬中間層一側；

其中，所述襯底基板位于所述彎折區的部分被去除。

進一步地，所述襯底基板的材料為剛性材料。

進一步地，所述發光單元區包括薄膜晶體管，所述金屬中間層包括，

所述薄膜晶體管的柵極或源漏極，以及與所述柵極同層的且至少位于所述彎折區的第一電學結構和與所述源漏極同層的且至少位于所述彎折區的第二電學結構中的至少一者。

進一步地，所述金屬中間層包括所述薄膜晶體管的柵極和所述第一電學結構位于所述彎折區的部分；所述第一保護層包括緩沖層，所述第二保護層包括第一鈍化層；所述薄膜晶體管的柵極和所述第一電學結構位于所述彎折區的部分設置所述緩沖層和第一鈍化層之間，在第一鈍化層上設置有第一樹脂層；在發光單元區的所述第一樹脂層上依次設置有第二鈍化層、所述薄膜晶體管的源漏極、第三鈍化層和第二樹脂層；在彎折區的所述第一樹脂層上設置有第二樹脂層；所述樹脂絕緣層是所述第二樹脂層或所述第一樹脂層與所述第二樹脂層的組合。

進一步地，所述金屬中間層包括所述薄膜晶體管的源漏極和所述第二電學結構位于所述彎折區的部分；所述第一保護層包括所述第二鈍化層，所述第二保護層包括所述第三鈍化層；

所述薄膜晶體管的柵極位于所述緩沖層和第一鈍化層之間，在第一鈍化層上依次設置有第一樹脂層、第二鈍化層；在彎折區的所述有機材料層上設置所述第二鈍化層；

在所述第二鈍化層上設置有所述薄膜晶體管的源漏極和所述第二電學結構；