[發(fā)明專利]晶圓檢測(cè)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010147998.3
• 申請(qǐng)日: 2020-03-05
• 公開（公告）號(hào): CN111239174A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊俊劍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯集成電路制造（紹興）有限公司
• 主分類號(hào): G01N23/2251
• 分類號(hào): G01N23/2251;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種晶圓檢測(cè)方法，晶圓上的芯片包括主芯片和測(cè)試芯片，晶圓由曝光單元重復(fù)曝光形成，其特征在于，包括：

掃描機(jī)臺(tái)以虛擬單元為單位掃描晶圓，區(qū)分出不含所述測(cè)試芯片的虛擬單元和含所述測(cè)試芯片的虛擬單元，生成粗晶圓圖；其中，一個(gè)所述曝光單元由大于1的整數(shù)個(gè)所述虛擬單元構(gòu)成，一個(gè)所述虛擬單元包括多個(gè)所述芯片；不含所述測(cè)試芯片的虛擬單元定義為主芯片單元；

在所述粗晶圓圖中剔除含所述測(cè)試芯片的虛擬單元，生成標(biāo)準(zhǔn)晶圓圖；

所述掃描機(jī)臺(tái)根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓圖對(duì)所述主芯片單元缺陷掃描，將掃描到有缺陷的所述主芯片單元的坐標(biāo)信息存入缺陷掃描生成文件中；

SEM機(jī)臺(tái)根據(jù)所述缺陷掃描生成文件定位至所述晶圓上有缺陷的所述主芯片單元并檢測(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)方法，其特征在于，所述粗晶圓圖的文件格式包括sinf文件。

3.如權(quán)利要求2所述的晶圓檢測(cè)方法，其特征在于，在所述粗晶圓圖中剔除含所述測(cè)試芯片的虛擬單元，生成標(biāo)準(zhǔn)晶圓圖的步驟包括：

對(duì)所述粗晶圓圖的sinf文件修改，去除含所述測(cè)試芯片的虛擬單元的代碼，生成標(biāo)準(zhǔn)晶圓圖。

4.如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)方法，其特征在于，所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓圖中含所述主芯片單元的分布位置信息。

5.如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)方法，其特征在于，所述缺陷掃描生成文件格式包括klarf文件。

6.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的晶圓檢測(cè)方法，其特征在于，所述虛擬單元中的芯片全部為主芯片或部分為主芯片，部分為測(cè)試芯片或全部為測(cè)試芯片。

7.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的晶圓檢測(cè)方法，其特征在于，在同一型號(hào)的一批晶圓檢測(cè)中，生成一個(gè)晶圓的所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓圖，其他晶圓進(jìn)行缺陷掃描時(shí)調(diào)用所述標(biāo)準(zhǔn)晶圓圖。

8.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的晶圓檢測(cè)方法，其特征在于，所述晶圓上的芯片的數(shù)量大于等于3萬(wàn)個(gè)。

9.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的晶圓檢測(cè)方法，其特征在于，所述主芯片單元包含一種芯片或多種芯片。

10.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的晶圓檢測(cè)方法，其特征在于，所述SEM機(jī)臺(tái)的電子掃描顯微鏡的檢測(cè)原點(diǎn)與所述掃描機(jī)臺(tái)設(shè)定的原點(diǎn)重合。