[發明專利]P溝道的溝槽型VDMOS和溝槽型IGBT在審
| 申請號： | 202010147879.8 | 申請日： | 2020-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN113363308A | 公開（公告）日： | 2021-09-07 |
| 發明（設計）人： | 王學良 | 申請（專利權）人： | 上海先進半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人： | 薛琦;張冉 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝道 溝槽 vdmos igbt | ||
【權利要求書】：
1.一種P溝道的溝槽型VDMOS，包括n base區，其特征在于，所述n base區的溝道內埋有至少一個p島，所述p島為p型區，所述p型區采用p型半導體元素形成。
2.如權利要求1所述的P溝道的溝槽型VDMOS，其特征在于，所述p型半導體元素包括硼、鋁、鎵、銦、鉈中的至少一種。
3.如權利要求1所述的P溝道的溝槽型VDMOS，其特征在于，所述n base區的溝道內埋有多個所述p島，多個所述p島間隔設置。
4.如權利要求3所述的P溝道的溝槽型VDMOS，其特征在于，每個所述p島采用硼、鋁、鎵、銦、鉈中的至少一種形成。
5.一種P溝道的溝槽型IGBT，包括n base區，其特征在于，所述n base區的溝道內埋有至少一個p島，所述p島為p型區，所述p型區采用p型半導體元素形成。
6.如權利要求5所述的P溝道的溝槽型IGBT，其特征在于，所述p型半導體元素包括硼、鋁、鎵、銦、鉈中的至少一種。
7.如權利要求5所述的P溝道的溝槽型IGBT，其特征在于，所述n base區的溝道內埋有多個所述p島，多個所述p島間隔設置。
8.如權利要求7所述的P溝道的溝槽型IGBT，其特征在于，每個所述p島采用硼、鋁、鎵、銦、鉈中的至少一種形成。
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