[發(fā)明專(zhuān)利]一種低位錯(cuò)密度氮化物的外延層生長(zhǎng)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010147206.2
• 申請(qǐng)日: 2020-03-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111312585A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程萬(wàn)希;梁輝南;姜仁波;李強(qiáng);王榮華;高珺
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 大連芯冠科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/205
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/205;H01L21/335
• 代理公司: 大連東方專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 21212
• 代理人: 周瑩;李馨

1.一種低位錯(cuò)密度氮化物的外延層生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述方法在含Al的緩沖層AlN和緩沖層AlxGa1-xN的生長(zhǎng)過(guò)程中通入鹵化物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)襯底高溫烘烤，烘烤溫度900-1100度；

(2)在襯底上生長(zhǎng)第一層緩沖層AlN，生長(zhǎng)10～30nm的AlN層，再通入鹵化物繼續(xù)生長(zhǎng)AlN層，生長(zhǎng)厚度在200～300nm；

(3)在步驟(2)緩沖層基礎(chǔ)上繼續(xù)生長(zhǎng)第二層緩沖層AlxGa1-xN層，X＝0～1，生長(zhǎng)過(guò)程中通入鹵化物,生長(zhǎng)厚度在1um～4um；

(4)在第二層緩沖層AlxGa1-xN上繼續(xù)生長(zhǎng)GaN層，厚度在1um～2um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述鹵化物為HCl、HBr、CCl₄或CBr₄。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述鹵化物的通入量為10sccm～100sccm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述襯底為硅或藍(lán)寶石。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)中的生長(zhǎng)溫度為1000～1100℃，壓力為50～200mbar；步驟(3)中的生長(zhǎng)溫度為900～1100℃，壓力為50～400mbar；步驟(4)中的生長(zhǎng)溫度為900～1100℃，壓力為50～600mbar。