[發(fā)明專利]GOA電路、TFT基板、顯示裝置及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010146510.5 | 申請日： | 2020-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN111243543B | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 薛炎 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G09G3/36 | 分類號： | G09G3/36;G09G3/3266 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人： | 徐世俊 |
| 地址： | 215000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | goa 電路 tft 基板 顯示裝置 電子設(shè)備 | ||
1.一種GOA電路，其特征在于，該GOA電路包括m個級聯(lián)的GOA單元，第n級GOA單元包括：上拉控制單元、上拉單元、補(bǔ)償控制單元和下拉單元；其中，所述上拉控制單元分別連接至所述補(bǔ)償控制單元和所述上拉單元，所述補(bǔ)償控制單元分別連接至所述上拉控制單元、所述上拉單元和所述下拉單元，所述上拉單元分別連接至所述上拉控制單元、所述補(bǔ)償控制單元和所述下拉單元，所述下拉單元分別連接至所述上拉單元和所述補(bǔ)償控制單元；
所述上拉控制單元與第n-1級行掃描信號連接，用于抬升Q點(diǎn)的電位；
所述上拉單元用于控制第n級行掃描信號輸出高電位；
所述補(bǔ)償控制單元包括第四薄膜晶體管，所述第四薄膜晶體管的柵極與第n+1級行掃描信號連接，用于受控于所述第n+1級行掃描信號控制所述上拉單元中的第二薄膜晶體管的閾值電壓存儲于所述上拉單元中的電容中，所述Q點(diǎn)是所述上拉單元中的所述第二薄膜晶體管的柵極點(diǎn)；
所述下拉單元用于將第n級行掃描信號的電位拉低至低電位；
其中m和n為正整數(shù)，m≥n≥1；
其中所述第四薄膜晶體管的漏極與所述上拉控制單元中第一薄膜晶體管的源極、所述上拉單元中的第二薄膜晶體管的柵極連接，所述第四薄膜晶體管的源極與所述下拉單元中的第三薄膜晶體管的漏極、所述上拉單元中的第二薄膜晶體管的源極及第n級行掃描信號連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GOA電路，其特征在于，所述上拉控制單元包括所述第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的漏極和柵極分別與第n-1級行掃描信號連接，所述第一薄膜晶體管的源極與所述第四薄膜晶體管的漏極和所述上拉單元連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GOA電路，其特征在于，所述上拉單元包括所述第二薄膜晶體管和第一電容，所述第二薄膜晶體管的漏極與時鐘信號CK連接，所述第二薄膜晶體管的柵極與所述第一薄膜晶體管的源極、所述第四薄膜晶體管的漏極連接，所述第一薄膜晶體管的源極通過所述第一電容與第n級行掃描信號連接，所述第二薄膜晶體管的源極與第n級行掃描信號及所述下拉單元連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GOA電路，其特征在于，所述下拉單元包括第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的漏極與所述第二薄膜晶體管的源極、第n級行掃描信號及所述第四薄膜晶體管的源極連接，所述第三薄膜晶體管的柵極與第n+2級行掃描信號連接，所述第三薄膜晶體管的源極連接至VGL。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的GOA電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的源極和所述第四薄膜晶體管的漏極通過第二電容連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一所述的GOA電路，其特征在于，所述薄膜晶體管為IGZO薄膜晶體管。
7.一種TFT基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5中任一所述的GOA電路。
8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的TFT基板。
9.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求8所述的顯示裝置。
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