[發明專利]基板載體設備、基板處理設備以及調節基座溫度的方法在審
| 申請號: | 202010146206.0 | 申請日: | 2020-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN111668153A | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發明(設計)人: | 西脅和浩 | 申請(專利權)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 荷蘭阿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 載體 設備 處理 以及 調節 基座 溫度 方法 | ||
1.一種基板載體設備,包括:
軸;
至少一個載體臂,其固定在軸上并配置為隨著軸旋轉而旋轉;以及
至少一個溫度計,其固定在載體臂上。
2.根據權利要求1所述的基板載體設備,其中,所述載體臂是多個載體臂中的一個,所述溫度計設置在多個載體臂中的一個上。
3.根據權利要求1所述的基板載體設備,其中,所述載體臂是多個載體臂中的一個,所述多個載體臂全部都設置有所述溫度計。
4.根據權利要求1所述的基板載體設備,其中,所述溫度計是多個溫度計中的一個,多個溫度計固定在每個載體臂上。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的基板載體設備,其中,所述溫度計暴露在所述載體臂的后表面上。
6.根據權利要求1所述的基板載體設備,其中,所述載體臂包括:與所述軸連接的主體部;從所述主體部分支的分支部;以及延伸部,其與主體部連接并且位于距所述軸比主體部更遠,
所述溫度計是多個溫度計中的一個,并且
所述溫度計固定在所述主體部和延伸部上。
7.根據權利要求1至4中任一項所述的基板載體設備,其中,所述溫度計是熱電偶或電阻溫度傳感器。
8.一種基板處理設備,包括:
基板載體設備,其包括軸、固定在軸上并配置為隨著軸旋轉而旋轉的至少一個載體臂和固定在載體臂上的至少一個溫度計;
基座;
加熱器,其配置為加熱基座;
溫度調節器,其配置為控制加熱器;以及
控制單元,其配置為獲取由溫度計獲得的基座的測量溫度并控制溫度調節器,該測量溫度是表面溫度。
9.根據權利要求8所述的基板處理設備,其中,所述基板處理設備包括傳送單元,其將來自所述溫度計的測量結果轉換為數字數據,并將所述數字數據發送至所述控制單元。
10.根據權利要求8所述的基板處理設備,其中,所述控制單元基于測量溫度和在獲得測量溫度時的加熱器的溫度以更新的偏移來控制所述溫度調節器,以使所述表面溫度接近目標溫度。
11.一種調節基座溫度的方法,包括:
用固定在載體臂上的至少一個溫度計測量基座的表面溫度;以及
修改加熱基座的加熱器的控制的細節,以減小由溫度計獲得的測量溫度與目標溫度之間的差。
12.根據權利要求11所述的調節基座溫度的方法,其中,如果所述差大于預定值,則修改所述控制。
13.根據權利要求11所述的調節基座溫度的方法,其中,在所述表面溫度的測量中,在所述載體臂旋轉的同時測量多個基座的表面溫度。
14.根據權利要求13所述的調節基座溫度的方法,其中,隨著所述溫度計獲得的測量溫度與目標溫度之間的差的增大,所述載體臂的旋轉速度減小。
15.根據權利要求11所述的調節基座溫度的方法,其中,在所述表面溫度的測量中,執行所述基座的表面溫度的映射。
16.根據權利要求11所述的調節基座溫度的方法,其中,在所述表面溫度的測量中,使所述載體臂靠近所述基座。
17.根據權利要求11所述的調節基座溫度的方法,其中,在所述控制的修改中,用于控制所述加熱器的偏移被更新。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于ASMIP私人控股有限公司,未經ASMIP私人控股有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010146206.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





