[發明專利]排氣管裝置在審
| 申請號: | 202010145579.6 | 申請日: | 2020-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN112442676A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 松葉博;大石晃宏;栗原一彰;福水裕之 | 申請(專利權)人: | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 張魯濱;吳鵬 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 排氣管 裝置 | ||
本發明涉及排氣管裝置。根據一個實施例的排氣管裝置包括:管體;電介質,所述電介質形成為環狀并沿著所述管體的內壁設置;形成為環狀的內部電極,所述內部電極沿著所述電介質的內壁設置而留出所述電介質的內壁表面的一部分,并且構造成露出所述電介質的內壁表面的所述部分而不設置在所述管體的中心側;和等離子體產生回路,所述等離子體產生回路構造成使用所述內部電極在所述電介質的露出表面上產生等離子體,其中,所述排氣管裝置用作設置在成膜室與用于對所述成膜室的內部進行排氣的真空泵之間的排氣管的一部分。
相關申請的交叉引用
本申請基于2019年8月28日在日本提交的日本專利申請No.2019-155280并要求其優先權,該申請的全部內容通過引用結合于此。
技術領域
本文描述的實施例總體上涉及排氣管裝置。
背景技術
在以化學氣相沉積(CVD)裝置為代表的成膜裝置中,原料氣體被引入到成膜室中,并且在設置于該成膜室中的襯底上形成了所需的膜。殘留在成膜室內的原料氣體由真空泵經由排氣管排出。此時,由原料氣體產生的產品可能會堆積在排氣管中而封閉排氣管,或者產品可能會堆積在位于排氣管下游側的真空泵中而停止真空泵。為了移除所堆積的產品,通過遠程等離子體源(RPS)裝置執行清潔處理。然而,由于RPS裝置通常著重于成膜室中的清潔,因此清潔性能不足以清潔堆積在遠離RPS裝置的真空泵附近的排氣管和真空泵中的產品。
發明內容
根據一個實施例的排氣管裝置包括管體、電介質、內部電極和等離子體產生回路。電介質形成為環狀并沿著管體的內壁設置。內部電極形成為環狀,沿著電介質的內壁設置——其中留出了電介質的內壁表面的一部分,并且構造成使電介質的內壁表面的該部分露出而不設置在管體的中心側。等離子體產生回路構造成使用內部電極在電介質的暴露表面上產生等離子體。排氣管裝置用作設置在成膜室與用于對成膜室的內部進行排氣的真空泵之間的排氣管的一部分。
在下面的實施例中,將描述能夠移除堆積在真空泵附近的排氣管中的產品的排氣管裝置。
附圖說明
圖1是示出第一實施例中的半導體制造裝置的排氣系統的構型的一個示例的構型圖;
圖2是從正面方向看去的第一實施例中的排氣管裝置的一個示例的截面圖;
圖3是從頂面方向看去的第一實施例中的排氣管裝置的一個示例的截面圖;
圖4是從正面方向看去的第二實施例中的排氣管裝置的一個示例的截面圖;
圖5是從頂面方向看去的第二實施例中的排氣管裝置的一個示例的截面圖;
圖6是從正面方向看去的第三實施例中的排氣管裝置的一個示例的截面圖;
圖7是從頂面方向看去的第三實施例中的排氣管裝置的一個示例的截面圖;
圖8是第四實施例中的內部電極的一個示例的外觀圖;
圖9是從正面方向看去的第五實施例中的排氣管裝置的一個示例的截面圖;
圖10是從頂面方向看去的第五實施例中的排氣管裝置的一個示例的截面圖;
圖11是從正面方向看去的第六實施例中的排氣管裝置的一個示例的截面圖;
圖12是從正面方向看去的第七實施例中的排氣管裝置的一個示例的截面圖。
具體實施方式
(第一實施例)
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





