[發(fā)明專利]存儲系統

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010145564.X
• 申請日: 2020-03-05
• 公開（公告）號: CN111722794A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設計）人: 中西圭里;深澤洋平
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 賀月嬌;楊曉光

1.一種存儲系統，包括：

非易失性存儲器；

接口電路；以及

控制器，其被配置為

在經由所述接口電路接收到用于將寫數據存儲在所述非易失性存儲器中的多個寫命令時，獲取關于與每個寫命令相關聯的寫數據的壓縮比信息，

基于所獲取的壓縮比信息確定每個寫數據的壓縮比；以及

基于所確定的壓縮比確定所述寫命令的執(zhí)行順序。

2.根據權利要求1所述的存儲系統，其中

所述壓縮比信息指示每個寫數據的熵。

3.根據權利要求2所述的存儲系統，進一步包括：

易失性存儲器，所述壓縮比與所述熵相關聯地被存儲在所述易失性存儲器中。

4.根據權利要求1所述的存儲系統，其中

在每個寫命令的預定字段中指示所述壓縮比信息。

5.根據權利要求4所述的存儲系統，其中

所述寫命令符合NVMe標準。

6.根據權利要求1所述的存儲系統，其中

所述壓縮比信息由發(fā)出所述寫命令的主機確定。

7.根據權利要求1所述的存儲系統，其中

所述控制器經由所述接口電路從中繼設備獲取所述寫命令和所述壓縮比信息。

8.根據權利要求7所述的存儲系統，其中

所述壓縮比信息由所述中繼設備確定。

9.根據權利要求1所述的存儲系統，其中

所述寫命令包括第一寫命令、第二寫命令和第三寫命令，所述第一寫命令、所述第二寫命令和所述第三寫命令以所述第一寫命令、所述第二寫命令和所述第三寫命令的順序被發(fā)出并分別與第一寫數據、第二寫數據和第三寫數據相關聯，并且

在接收到所述寫命令以及所述第一寫數據、所述第二寫數據和所述第三寫數據時，如果所述第一寫數據和所述第二寫數據不能被存儲在預定存儲區(qū)域中，并且所述第一寫數據和所述第三寫數據或者所述第二寫數據和所述第三寫數據能被存儲在所述預定存儲區(qū)域中，則所述控制器確定所述寫命令的執(zhí)行順序不同于所述寫命令的發(fā)出順序。

10.根據權利要求9所述的存儲系統，其中

所述控制器包括緩沖存儲器，以及

所述預定存儲區(qū)域被分配在所述緩沖存儲器中。

11.一種存儲系統，包括：

非易失性存儲器；

接口電路；以及

控制器，其被配置為

在經由所述接口電路接收到用于將寫數據存儲在所述非易失性存儲器中的多個寫命令時，壓縮與每個寫命令相關聯的寫數據，

確定每個壓縮后的寫數據的數據大小，以及

基于所確定的數據大小確定所述寫命令的執(zhí)行順序。

12.根據權利要求11所述的存儲系統，進一步包括：

緩沖存儲器，所述壓縮后的寫數據被存儲在所述緩沖存儲器中。

13.根據權利要求11所述的存儲系統，其中

所述控制器被進一步配置為確定每個寫數據是否能被壓縮，以及

所述控制器僅在所述寫數據能被壓縮時確定所述數據大小。

14.根據權利要求13所述的存儲系統，其中

所述控制器通過參考相應的寫命令的預定字段來確定每個寫數據是否能被壓縮。

15.根據權利要求14所述的存儲系統，其中

所述寫命令符合NVMe標準。