[發(fā)明專利]一種含有BCP插入層的8-羥基喹啉鋁/金屬異質(zhì)結(jié)熱電子光電探測器及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010145549.5 | 申請日： | 2020-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN111403603B | 公開（公告）日： | 2023-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 翟愛平;趙成杰;崔艷霞;王文艷;李國輝;郝玉英;吳玉程 | 申請（專利權(quán)）人： | 太原理工大學(xué) |
| 主分類號： | H10K30/60 | 分類號： | H10K30/60;H10K30/81;H10K85/30;H10K71/00;G01J1/44 |
| 代理公司： | 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 030024 山西*** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 含有 bcp 插入 羥基 喹啉 金屬 異質(zhì)結(jié)熱 電子 光電 探測器 及其 制作方法 | ||
1.一種含有BCP插入層的8-羥基喹啉鋁/金屬異質(zhì)結(jié)熱電子光電探測器，由陽極層、有機半導(dǎo)體層、插入層、銀納米顆粒層、陰極層組成，其特征在于：陽極層為銦錫氧化物ITO，銀納米顆粒層和鋁陰極層構(gòu)成金屬復(fù)合電極層，有機半導(dǎo)體層與金屬復(fù)合電極層構(gòu)成肖特基結(jié)，其中在肖特基結(jié)的界面插入厚度為2±0.01納米的BCP作為界面插入層，BCP為2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-菲羅啉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含有BCP插入層的8-羥基喹啉鋁/金屬異質(zhì)結(jié)熱電子光電探測器，其特征在于：有機半導(dǎo)體層為厚度50納米?±0.5納米的8-羥基喹啉鋁Alq3，銀納米顆粒層為厚度5±0.03納米的銀Ag納米顆粒，陰極層為厚度10±0.05納米的半透明Al金屬薄膜。
3.制作含有BCP插入層的8-羥基喹啉鋁/金屬異質(zhì)結(jié)熱電子光電探測器的方法，其特征在于按照如下的步驟進行：
步驟一、將氧化銦錫導(dǎo)電玻璃進行搓洗，并用去離子水、無水乙醇、丙酮、異丙醇分別在超聲條件下清洗，然后裝入蒸鍍爐，當(dāng)壓強降到0.0005帕以下時開始蒸鍍;
步驟二、氧化銦錫導(dǎo)電玻璃在旋轉(zhuǎn)條件下，以?0.2?納米/秒的速率蒸鍍?50±0.5納米厚的有機半導(dǎo)體Alq3層，然后以?0.1?納米/秒的速率蒸鍍?2±0.01納米的BCP插入層，接著以?0.02?納米/秒的低速率蒸鍍?5±0.03納米的銀納米顆粒，最后以0.4納米/秒的速率蒸鍍10±0.05納米厚的Al陰極，BCP為2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-菲羅啉。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作一種含有BCP插入層的8-羥基喹啉鋁/金屬異質(zhì)結(jié)熱電子光電探測器的方法，其特征在于：步驟二中，在有機半導(dǎo)體層成膜后需沉積一層超薄的BCP插入層，然后再用低速率蒸鍍Ag以形成納米顆粒，隨后，蒸鍍Al電極。
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