[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010145469.X | 申請日： | 2011-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN111326435A | 公開（公告）日： | 2020-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 山崎舜平 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/34;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/383;H01L21/477;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/26;H01L29/49;H01L29/66;H01L29/78;H01L |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種確定氧摻雜處理是否執(zhí)行的方法，包括如下步驟：
測量氧化物半導(dǎo)體膜的第一區(qū)的第一濃度，其中對所述第一區(qū)沒有執(zhí)行氧摻雜處理；
測量氧化物半導(dǎo)體膜的第二區(qū)的第二濃度；以及
通過將所述第一濃度與所述第二濃度進行比較確定氧摻雜處理是否對所述第二區(qū)執(zhí)行，
其中所述第一濃度與所述第二濃度分別是17O和18O之一的濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的確定氧摻雜處理是否執(zhí)行的方法，其中所述第一濃度與所述第二濃度分別通過二次離子質(zhì)譜分析法測量。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
