[發明專利]一種拉晶設備及方法

在審

• 申請號: 202010145456.2
• 申請日: 2020-03-03
• 公開（公告）號: CN113337879A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 王建波;周銳;李僑;鄧浩;付澤華;張龍龍;徐戰軍;張永輝;張偉建
• 申請（專利權）人: 隆基綠能科技股份有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發明實施例提供了一種拉晶設備及方法，所述設備包括：加料裝置和單晶爐；所述加料裝置包括儲料部和運料通道；所述儲料部用于儲存硅料；所述運料通道的一端與所述儲料部相連，另一端穿過所述單晶爐的爐壁伸入所述單晶爐內，所述運料通道用于將所述硅料輸送至所述單晶爐內；所述單晶爐內設有坩堝、緩料通道和導料通道；所述緩料通道的一端與所述導料通道相連，另一端與所述運料通道相連，且所述緩料通道分別與所述運料通道、所述導料通道成預設夾角設置；所述導料通道的另一端伸入所述坩堝內。本發明實施例中，所述緩料通道能有效減緩所述硅料對坩堝內硅液的沖擊，避免由于添加硅料導致硅液濺射引起硅液溫度波動，進而可以有效提升單晶硅品質。

技術領域

本發明涉及太陽能光伏技術領域，特別是涉及一種拉晶設備及方法。

背景技術

隨著光伏技術的發展，單晶硅的使用也越來越廣泛。近些年，單晶硅的需求量不斷增大，因此，單晶硅生產效率的提升就尤為重要。

目前，單晶硅的生產工藝主要為直拉法。連續直拉法(Continuous Czocharlski，CCZ)為直拉法的一種，由于晶棒拉制與加料熔化同時進行，省去了單獨的熔料時間，提升了生產效率，而且，通過引入內坩堝有效延長了坩堝的使用壽命，降低了生成成本，因此被廣泛應用。然而，在CCZ生產中，由于添加新的硅料時，會出現濺料，導致晶棒生長界面的溫度波動較大，從而會影響單晶硅的品質。而且，由于CCZ生產工藝中增加了內坩堝，內坩堝也會與硅液發生反應，導致硅液中被引入的雜質增多，從而也會影響單晶硅品質。

發明內容

為了解決或部分的解決上述問題，本發明公開了一種拉晶設備及方法。

本發明公開了一種拉晶設備，所述設備包括：加料裝置和單晶爐；

所述加料裝置包括儲料部和運料通道；

所述儲料部用于儲存硅料；

所述運料通道的一端與所述儲料部相連，另一端穿過所述單晶爐的爐壁伸入所述單晶爐內，所述運料通道用于將所述硅料輸送至所述單晶爐內；

所述單晶爐內設有坩堝、緩料通道和導料通道；

所述緩料通道的一端與所述導料通道相連，另一端與所述運料通道相連，且所述緩料通道分別與所述運料通道、所述導料通道成預設夾角設置；

所述導料通道的另一端伸入所述坩堝內。

可選的，所述單晶爐內還設有保溫蓋，所述保溫蓋設置于所述坩堝的上方；

所述保溫蓋開設有第一通孔，所述導料通道的一端穿過所述第一通孔與所述緩料通道連通。

可選的，所述緩料通道設置于所述保溫蓋遠離所述坩堝的一側，所述導料通道穿過所述第一通孔設置在所述保溫蓋與所述坩堝之間。

可選的，所述單晶爐的側面爐壁對應所述保溫蓋的上方處開設有第二通孔；

所述運料通道水平設置，且所述運料通道穿過所述第二通孔與所述緩料通道連通。

可選的，所述緩料通道與所述導料通道為一體成型結構或可拆卸連接。

可選的，所述單晶爐內具有位于所述坩堝上方的熱屏，所述熱屏的中心開設有供晶棒通過的拉晶通道，所述導料通道設置于所述熱屏遠離所述拉晶通道的一側。

可選的，所述單晶爐內還設有隔熱件；

所述隔熱件夾設于所述緩料通道與所述導料通道之間。

可選的，所述隔熱件為碳碳隔熱件或石墨隔熱件。

可選的，所述坩堝包括內坩堝和外坩堝，所述內坩堝設置于所述外坩堝內，且所述內坩堝的堝壁與所述外坩堝的堝壁之間形成間隙；