[發(fā)明專(zhuān)利]碳化硅歐姆接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010145207.3 | 申請(qǐng)日： | 2020-03-04 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111312811A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-06-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊程;林科闖;陶永洪 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 廈門(mén)市三安集成電路有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/45 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/45;H01L21/04;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京超成律師事務(wù)所 11646 | 代理人： | 郭俊霞 |
| 地址： | 361100 福建省廈門(mén)*** | 國(guó)省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 碳化硅 歐姆 接觸 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種碳化硅歐姆接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。碳化硅歐姆接觸結(jié)構(gòu)包括p型碳化硅區(qū)和在所述p型碳化硅區(qū)上方形成的p型歐姆合金層；其中，所述p型歐姆合金層為鎳鈦鋁合金；鈦與鎳的原子比不低于0.178且不高于0.310；鈦與鋁的原子比不低于0.171且不高于0.470。碳化硅歐姆接觸結(jié)構(gòu)在高溫退火后，并不會(huì)降低n型與p型中一者的接觸性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及碳化硅歐姆接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法。
背景技術(shù)
在碳化硅(SiC)功率器件的制造工藝中，需要在SiC晶圓的正面制作出不同導(dǎo)電型的區(qū)域，并在這些不同導(dǎo)電型的區(qū)域上制作歐姆接觸電極。比如SiC MOSFET、IGBT、BJT等器件，均需要在正面不同導(dǎo)電型區(qū)域(n型、p型)上制作源極電極、集電極電極、發(fā)射極電極等電極。在這些歐姆接觸制作區(qū)域，如何降低比接觸電阻率并同時(shí)保證良好的接觸表面形貌，這一直是這些器件制作的重點(diǎn)與難點(diǎn)。
當(dāng)前，單獨(dú)的n型碳化硅歐姆接觸或者單獨(dú)的p型碳化硅歐姆接觸制作工藝已經(jīng)相對(duì)成熟。若需要在同一碳化硅晶圓上制作n型與p型歐姆接觸，如果在目標(biāo)器件上分別制作n型與p型歐姆接觸，需要使用兩層光刻工藝和兩次高溫退火，工藝復(fù)雜度高，并且第二次的高溫工藝會(huì)嚴(yán)重影響前道工藝性能，比如會(huì)降低柵氧層的載流子遷移率，惡化已形成的p型歐姆接觸質(zhì)量等。如果在目標(biāo)器件上同時(shí)形成n型與p型歐姆接觸，將不可避免地犧牲n型與p型中一者的歐姆接觸性能。
因此，設(shè)計(jì)一種碳化硅歐姆接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法，其在高溫退火后，并不會(huì)降低n型與p型中一者的接觸性能，這是目前急需解決的技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種碳化硅歐姆接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法，其在高溫退火后，并不會(huì)降低n型與p型中一者的接觸性能。
第一方面，本發(fā)明提供一種碳化硅歐姆接觸結(jié)構(gòu)，包括：
p型碳化硅區(qū)；
在所述p型碳化硅區(qū)上方形成的p型歐姆合金層；
其中，所述p型歐姆合金層為鎳鈦鋁合金；
鈦與鎳的原子比不低于0.178且不高于0.310；鈦與鋁的原子比不低于0.171且不高于0.470。
第二方面，本發(fā)明提供一種碳化硅歐姆接觸結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：
提供一p型碳化硅區(qū)；
在所述p型碳化硅區(qū)上方形成p型歐姆合金層；
其中，所述p型歐姆合金層為鎳鈦鋁合金；
鈦與鎳的原子比不低于0.178且不高于0.310；鈦與鋁的原子比不低于0.171且不高于0.470。
第二方面的一種實(shí)施例中，所述在所述p型碳化硅區(qū)上方形成的p型歐姆合金層的步驟，包括：
在所述p型碳化硅區(qū)上方沉積鎳層；
在所述鎳層上方沉積所述鈦層和所述鋁層；
進(jìn)行退火處理，形成所述p型歐姆合金層。
第二方面的一種實(shí)施例中，所述退火處理的工藝溫度范圍為：900℃－1050℃，持續(xù)時(shí)間的范圍為：1分鐘－5分鐘。
第三方面，本發(fā)明提供一種碳化硅歐姆接觸結(jié)構(gòu)，包括：
設(shè)置的p型碳化硅區(qū)和n型碳化硅區(qū)；
在所述p型碳化硅區(qū)和所述n型碳化硅區(qū)上方分別設(shè)有的p型歐姆合金層和n型歐姆合金層；
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
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