[發明專利]阻變存儲器及其制作方法有效
| 申請號： | 202010145159.8 | 申請日： | 2020-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN111293220B | 公開（公告）日： | 2022-03-08 |
| 發明（設計）人： | 黃鵬;馮玉林;田明;劉力鋒;劉曉彥;康晉鋒 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 及其 制作方法 | ||
1.一種阻變存儲器，其特征在于，包括：襯底；依次位于所述襯底之上的：第一電極、阻變介質層、阻擋層兼隧穿層以及第二電極；
其中，所述阻擋層兼隧穿層在置位過程中，作為氧離子的阻擋層并且作為電子的隧穿層，所述阻擋層兼隧穿層包括多層二維材料，所述二維材料為如下材料的一種：HBN、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2或WTe2，所述多層二維材料的層數為2～5層。
2.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，在置位時，所述第二電極為陽極，所述第一電極為陰極；在復位時，所述第二電極為陰極，所述第一電極為陽極。
3.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變介質層為單層或多層疊層，所述單層或者多層疊層中每一層的材料為如下材料的一種或其組合：HfO2、ZrO2、Ta2O5、TiO2、SiO2。
4.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變介質層的厚度為2nm-20nm。
5.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，
所述第一電極的材料為如下材料的一種或幾種：Au、Pt、Ru、Ir、W、TiN以及TaN；和/或，
所述第一電極的厚度為：10nm-150nm。
6.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，
所述第二電極的材料為如下材料的一種或幾種：Ti、Ta、Hf、TiN以及TaN；和/或，
所述第二電極的厚度為：10nm-150nm。
7.一種如權利要求1-6中任一項所述的阻變存儲器的制作方法，其特征在于，包括：
準備襯底；
在所述襯底之上制作第一電極和阻變介質層；
制作阻擋層兼隧穿層，包括：制作二維材料，所述二維材料為如下材料的一種：HBN、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2或WTe2，將多層二維材料轉移至阻變介質層之上；以及
在所述阻擋層兼隧穿層之上制作第二電極。
8.根據權利要求7所述 的制作方法，其特征在于，
所述二維材料的制作方法包括如下方法的一種：微機械剝離、化學氣相沉積以及原子層沉積；和/或，
所述第二電極在制作時采用原子層沉積或小功率濺射方法，以避免阻擋層兼隧穿層表面損傷。
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