[發明專利]過電壓保護設備有效
| 申請號： | 202010144570.3 | 申請日： | 2020-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN111668824B | 公開（公告）日： | 2023-04-07 |
| 發明（設計）人： | J-M·西莫內;S·恩古;S·拉斯庫納 | 申請（專利權）人： | 意法半導體股份有限公司;意法半導體(圖爾)公司 |
| 主分類號： | H02H9/04 | 分類號： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 過電壓 保護 設備 | ||
1.一種過電壓保護電路，包括：
第一二極管，所述第一二極管由具有大于硅的帶隙寬度的帶隙寬度的第一半導體材料制成，所述第一二極管包括：
第一摻雜區域，具有第一導電類型；
本征區域，在所述第一摻雜區域上；
第二摻雜區域，具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型；以及
環形摻雜區域，具有所述第二導電類型，并且橫向圍繞所述第二摻雜區域；
其中所述第二摻雜區域和所述環形摻雜區域被定位在相同的半導體層中，以及
第二二極管，所述第二二極管與所述第一二極管電交叉耦合，所述第二二極管由與所述第一半導體材料不同的第二半導體材料制成。
2.根據權利要求1所述的過電壓保護電路，其中所述第一半導體材料是碳化硅。
3.根據權利要求2所述的過電壓保護電路，其中所述碳化硅具有4H多型體。
4.根據權利要求2所述的過電壓保護電路，其中所述碳化硅具有6H多型體。
5.根據權利要求1所述的過電壓保護電路，其中所述第一半導體材料是氮化鎵。
6.根據權利要求1所述的過電壓保護電路，其中所述第一導電類型是N型，并且所述第二導電類型是P型。
7.根據權利要求1所述的過電壓保護電路，其中所述第一二極管具有被定位在基底的相對表面上的陽極和陰極。
8.根據權利要求1所述的過電壓保護電路，其中所述過電壓保護電路被配置為：當過電壓在正向方向上偏置所述第一二極管時，提供所述過電壓保護。
9.根據權利要求1所述的過電壓保護電路，其中所述過電壓保護電路被配置為：在不存在過電壓的情況下，在所述第一二極管的正向方向上施加電壓。
10.根據權利要求1所述的電路，其中所述第二二極管由硅制成。
11.根據權利要求1所述的電路，其中所述第二半導體材料具有大于硅的帶隙寬度的帶隙寬度。
12.一種過電壓保護設備，包括：
第一電路，所述第一電路具有第一端子和第二端子；以及
過電壓保護電路，所述過電壓保護電路被耦合在所述第一電路的所述第一端子和所述第二端子之間，所述過電壓保護電路包括：
第一二極管，所述第一二極管由具有大于硅的帶隙寬度的帶隙寬度的第一半導體材料制成，所述第一二極管包括：
第一摻雜區域，具有第一導電類型；
本征區域，在所述第一摻雜區域上；
第二摻雜區域，具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型；以及
環形摻雜區域，具有所述第二導電類型，并且橫向圍繞所述第二摻雜區域；
其中所述第二摻雜區域和所述環形摻雜區域被定位在相同的半導體層中，以及
第二二極管，所述第二二極管與所述第一二極管電交叉耦合，所述第二二極管由不同于所述第一半導體材料的第二半導體材料制成。
13.根據權利要求12所述的設備，其中所述第一端子和所述第二端子是所述第一電路的輸入/輸出端子。
14.根據權利要求12所述的設備，其中所述第一半導體材料是碳化硅。
15.根據權利要求14所述的設備，其中所述碳化硅至少具有4H多型體或6H多型體中的一個多型體。
16.根據權利要求12所述的設備，其中所述第一半導體材料是氮化鎵。
17.根據權利要求12所述的設備，其中所述第一導電類型是N型，并且所述第二導電類型是P型。
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