[發(fā)明專利]場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010144306.X
• 申請(qǐng)日: 2020-03-04
• 公開（公告）號(hào): CN111341840B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬培培;鄭軍;成步文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): H01L29/40
• 分類號(hào): H01L29/40;H01L29/786;H01L21/34
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，包括：

半絕緣襯底；

緩沖層，設(shè)置于所述半絕緣襯底上；

溝道層，設(shè)置于所述緩沖層上；

源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)，設(shè)置于所述溝道層的兩側(cè)；

復(fù)合鈍化層，包括：

第一鈍化層，設(shè)置于所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵電介質(zhì)層上，并覆蓋所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源電極、漏電極和柵電極，所述第一鈍化層的材料為氧化硅或氮化硅，所述第一鈍化層的厚度為50nm-500nm；和

第二鈍化層，設(shè)置于所述第一鈍化層上，所述第二鈍化層的材料為氧化鋁、氧化鋯或氧化鉿，所述第二鈍化層的厚度為20nm-200nm；以及

橫向場(chǎng)板，設(shè)置與所述柵電極相接觸，并置于所述第一鈍化層內(nèi)，所述橫向場(chǎng)板的長度為1μm-20μm；

浮空?qǐng)霭澹O(shè)置于所述第二鈍化層上，所述浮空?qǐng)霭宓拈L度為1μm-20μm，所述浮空?qǐng)霭迮c所述橫向場(chǎng)板相切，所述橫向場(chǎng)板和所述浮空?qǐng)霭宓暮穸葹?0nm-1000nm；

其中，所述溝道層連接至所述柵電介質(zhì)層，所述源電極和所述漏電極設(shè)置于所述柵電介質(zhì)層的兩側(cè)，所述柵電極設(shè)置于所述柵電介質(zhì)層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，其特征在于：

所述半絕緣襯底摻雜Mg、Fe或N；

所述溝道層摻雜Si、Ge或Sn，摻雜濃度為1×10¹⁷cm^-3-9×10¹⁸cm^-3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)摻雜Si、Ge或Sn，摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3-1×10²⁰cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，所述緩沖層的厚度為300nm-500nm，所述溝道層的厚度為100nm-300nm，所述源極摻雜區(qū)和所述漏極摻雜區(qū)的厚度為10nm-200nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，所述柵電介質(zhì)層的厚度為5～50nm，所述源電極和所述漏電極的厚度為50nm-1000nm，所述柵電極的厚度為50nm-1000nm。