[發明專利]一種晶體管結構及其制備方法在審
| 申請號： | 202010144267.3 | 申請日： | 2020-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN111261633A | 公開（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發明（設計）人： | 張靜;金起準 | 申請（專利權）人： | 合肥晶合集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/115 | 分類號： | H01L27/115;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王華英 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體管 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種晶體管結構的制備方法，其特征在于，其至少包括以下步驟：
提供一基底，所述基底上設有多個柵極結構，相鄰所述柵極結構之間設有預設間隔距離；
在每個所述柵極結構的兩側壁上形成第一側墻結構，所述第一側墻結構包括氧化硅層和氮化硅層，同時去除相鄰所述第一側墻結構之間且位于所述基底上的所述氮化硅層；
在所述基底上進行離子注入；
去除相鄰所述第一側墻結構之間且位于所述基底上的所述氧化硅層，暴露相鄰所述第一側墻結構之間的所述基底；
去除所述第一側墻結構中的所述氮化硅層，形成第二側墻結構和臺階結構，所述第二側墻結構設置在每個所述柵極結構的兩側；所述臺階結構設置在所述第二側墻結構與所述基底之間；
在所述基底上形成薄膜層，所述薄膜層覆蓋所述基底、所述多個柵極結構、所述第二側墻結構和所述臺階結構。
2.根據權利要求1所述一種晶體管結構的制備方法，其特征在于，所述預設間隔距離為80-110nm。
3.根據權利要求1所述一種晶體管結構的制備方法，其特征在于，所述第二側墻結構為氧化硅層。
4.根據權利要求1所述一種晶體管結構的制備方法，其特征在于，所述臺階結構為氧化硅層。
5.根據權利要求1所述一種晶體管結構的制備方法，其特征在于，所述第二側墻結構的厚度為6-10nm。
6.根據權利要求1所述一種晶體管結構的制備方法，其特征在于，所述臺階結構的厚度為6-10nm。
7.根據權利要求1所述一種晶體管結構的制備方法，其特征在于，所述晶體管結構的制備方法還包括在所述基底上形成柵極氧化層。
8.根據權利要求1所述一種晶體管結構的制備方法，其特征在于，采用選擇性刻蝕溶液去除所述基底上所述氮化硅層。
9.一種晶體管結構，其特征在于，其包括：
基底；
多個柵極結構，其設置在所述基底上，相鄰所述柵極結構之間設有預設間隔距離；
第二側墻結構，其設置在每個所述柵極結構的兩側；
臺階結構，其設置在所述第二側墻結構與所述基底的連接處；
薄膜層，其設置在所述基底上，且覆蓋所述基底、所述多個柵極結構、所述第二側墻結構和所述臺階結構。
10.根據權利要求9所述一種晶體管結構，其特征在于，所述晶體管結構還包括柵極氧化層，所述柵極氧化層設置在所述基底上，且位于所述基底與所述多個柵極結構之間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
