[發(fā)明專利]磁屏蔽性能測試裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010144183.X
• 申請日: 2020-03-04
• 公開（公告）號: CN113358940B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 衛(wèi)鈴佼;王莉娟;洪國同;劉彥杰;梁驚濤;王國鵬;李建國
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所
• 主分類號: G01R29/08
• 分類號: G01R29/08
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 譚云

1.一種磁屏蔽性能測試裝置，其特征在于，包括外層屏蔽筒、磁場產(chǎn)生線圈、液氦杜瓦、測試樣品和磁場探測器；所述液氦杜瓦設(shè)于所述外層屏蔽筒內(nèi)，所述磁場產(chǎn)生線圈繞設(shè)在所述液氦杜瓦的外周，所述測試樣品設(shè)于所述液氦杜瓦內(nèi)的液氦中；

其中，所述液氦杜瓦的頂端構(gòu)造有向下延伸至所述液氦杜瓦內(nèi)的探測通道，所述探測通道位于所述液氦杜瓦內(nèi)的一端封閉，所述探測通道位于所述液氦杜瓦頂端的一端敞口，且所述探測通道穿至所述測試樣品的內(nèi)部，所述磁場探測器從所述探測通道的敞口端設(shè)于所述探測通道內(nèi)，以測量所述測試樣品的內(nèi)部磁場；

所述探測通道呈圓筒形，所述探測通道外依次形成有真空絕熱夾層和輻射冷卻屏；

所述外層屏蔽筒的頂端開口，所述開口與所述探測通道的敞口端連通；

所述外層屏蔽筒由多層磁屏蔽材料層組成；所述外層屏蔽筒采用高頻磁場屏蔽筒和低頻磁場屏蔽筒組合形成，所述高頻磁場屏蔽筒采用銅或鋁制成，所述低頻磁場屏蔽筒采用坡莫合金或鎳鐵合金制成；

所述液氦杜瓦內(nèi)設(shè)有用于固定所述測試樣品的安裝接口，所述安裝接口采用無磁材料制成；所述磁場產(chǎn)生線圈采用直流螺線管線圈；所述磁場探測器采用磁通門探測器；

所述液氦杜瓦的頂部設(shè)有抽真空口以及延伸至所述液氦杜瓦內(nèi)底部的充液管，所述充液管的上端設(shè)有充液口；所述液氦杜瓦包括內(nèi)膽以及設(shè)于所述內(nèi)膽外的真空罩，所述真空罩與所述內(nèi)膽之間設(shè)有冷屏；所述內(nèi)膽與所述冷屏之間設(shè)有第一絕熱層，所述冷屏與所述真空罩之間設(shè)有第二絕熱層；

所述真空罩的頂端設(shè)有外端蓋，所述抽真空口設(shè)于所述外端蓋，所述充液管由所述外端蓋延伸至所述內(nèi)膽內(nèi)；所述內(nèi)膽的頂部設(shè)有內(nèi)端蓋；所述探測通道形成在所述外端蓋上，所述內(nèi)端蓋設(shè)有供所述探測通道穿過的過孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁屏蔽性能測試裝置，其特征在于，所述第一絕熱層與所述第二絕熱層為單面鍍鋁滌綸薄膜或者雙面鍍鋁滌綸薄膜之間夾設(shè)尼龍網(wǎng)間隔物；所述真空罩的材料和所述內(nèi)膽的材料均采用無磁不銹鋼，所述冷屏的材料采用銅或鋁合金；所述探測通道材料采用紫銅或鋁合金。