[發明專利]SONO刻蝕樣品制備及檢測方法

在審

• 申請號: 202010144106.4
• 申請日: 2020-03-04
• 公開（公告）號: CN111323443A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 王亞南;劉君芳
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: G01N23/2202
• 分類號: G01N23/2202;G01N23/2251;G11C29/00;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種SONO刻蝕樣品制備及檢測方法，其特征在于，包括：

提供一閃存前端器件，所述閃存前端器件包括襯底，所述襯底上形成有襯底堆疊結構層，所述襯底堆疊結構層中形成有柵極線孔和溝道孔，所述溝道孔的側壁形成有SONO堆疊結構層，所述溝道孔包括連通的上溝道孔和下溝道孔；

去除預設深度的所述襯底堆疊結構層，在所述預設深度范圍內剩余所述SONO堆疊結構層；剩余的所述襯底堆疊結構層的頂部不低于所述下溝道孔的頂部；

去除所述預設深度范圍內剩余的所述SONO堆疊結構層，得到SONO刻蝕樣品；

采用SEM對所述SONO刻蝕樣品進行檢測。

2.如權利要求1所述的SONO刻蝕樣品制備及檢測方法，其特征在于，采用HF酸腐蝕去除所述預設深度的所述襯底堆疊結構層。

3.如權利要求2所述的SONO刻蝕樣品制備及檢測方法，其特征在于，采用HF酸腐蝕去除所述預設深度的所述襯底堆疊結構層具體過程為：將所述閃存前端器件截成1～1.5cm*1～1.5cm大小，放入45％～55％的HF酸中浸泡8s-12s。

4.如權利要求1所述的SONO刻蝕樣品制備及檢測方法，其特征在于，采用拋光墊研磨去除所述預設深度范圍內剩余的所述SONO堆疊結構層。

5.如權利要求4所述的SONO刻蝕樣品制備及檢測方法，其特征在于，采用拋光墊研磨去除所述預設深度范圍內剩余的所述SONO堆疊結構層具體過程為：

先采用拋光墊研磨1～3次，然后在90～110轉/分的轉速下用清水轉15～17圈，再進行超聲波清洗4～6分鐘。

6.如權利要求1至5任意一項所述的SONO刻蝕樣品制備及檢測方法，其特征在于，采用SEM對所述SONO刻蝕樣品進行檢測包括：檢測所述溝道孔的側壁上的所述SONO堆疊結構層上是否有缺陷、所述SONO堆疊結構層形貌是否規整、所述上溝道孔和所述下溝道孔是否對齊中的至少一項。

7.如權利要求1至5任意一項所述的SONO刻蝕樣品制備及檢測方法，其特征在于，在得到SONO刻蝕樣品之后，采用SEM對所述SONO刻蝕樣品進行檢測之前，包括：在所述SONO刻蝕樣品表面鍍鉑金屬層。

8.如權利要求1至5任意一項所述的SONO刻蝕樣品制備及檢測方法，其特征在于，所述柵極線孔在所述閃存前端器件的厚度方向上終止于所述上溝道孔和所述下溝道孔的交界處高度。

9.如權利要求1至5任意一項所述的SONO刻蝕樣品制備及檢測方法，其特征在于，所述襯底堆疊結構包括多個層疊單元，所述層疊單元為依次堆疊的氧化硅層和氮化硅層。

10.如權利要求1至5任意一項所述的SONO刻蝕樣品制備及檢測方法，其特征在于，剩余的所述襯底堆疊結構層的頂部高于所述下溝道孔的頂部。