[發明專利]一種垂直腔面發射激光器及其制造方法有效
| 申請號： | 202010143692.0 | 申請日： | 2020-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN111313227B | 公開（公告）日： | 2021-07-27 |
| 發明（設計）人： | 梁棟;張成;翁瑋呈;丁維遵;劉嵩 | 申請（專利權）人： | 常州縱慧芯光半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/042 | 分類號： | H01S5/042;H01S5/183;H01S5/42 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王華英 |
| 地址： | 213000 江蘇省常州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 垂直 發射 激光器 及其 制造 方法 | ||
1.一種垂直腔面發射激光器，其特征在于，包括，
外延結構，包括第一反射層，有源層及第二反射層；
至少一個第一溝槽，形成在所述外延結構內，貫穿所述外延結構，將所述外延結構分成至少兩個發光單元；
至少兩個絕緣層，形成在所述第一溝槽內；
至少一個第一電極，形成在所述第一溝槽內，連接所述至少兩個發光單元，且所述發光單元內的發光子單元通過所述第一電極連接，以形成公共陽極；
至少兩個第二電極，形成在所述第一反射層的背面上；
其中，每一所述發光子單元包括一發光孔，所述第一電極圍繞在所述發光孔的外周；
其中，所述第一電極在所述第一溝槽內從所述外延結構的背面向所述外延結構的正面延伸，位于所述外延結構正面的部分所述第一電極與所述第二反射層連接；
其中，位于所述外延結構背面的部分所述第一電極與位于所述外延結構背面上的部分所述絕緣層接觸。
2.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，部分所述絕緣層位于所述第一反射層的背面上，部分所述絕緣層位于所述第二反射層上，部分所述絕緣層位于所述第一溝槽的側壁上。
3.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述發光單元內還包括第二溝槽，所述第二溝槽貫穿所述第二反射層及有源層，暴露出所述第一反射層。
4.根據權利要求3所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，部分所述絕緣層形成在所述第二溝槽內，部分所述第一電極形成在所述第二溝槽內。
5.根據權利要求3所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述第一電極沿著所述第二溝槽向兩側的所述發光子單元延伸，并覆蓋部分所述絕緣層與所述第二反射層連接。
6.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，還包括透明襯底，所述透明襯底位于所述外延結構的正面上，所述透明襯底通過多個粘結材料設置在所述外延結構的正面上。
7.根據權利要求6所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述多個粘結材料位于所述第一電極上，且所述多個粘結材料的長度小于或等于所述第一電極的長度。
8.一種垂直腔面發射激光器的制造方法，其特征在于，包括，
形成一外延結構，所述外延結構包括第一反射層，有源層及第二反射層；
形成至少一個第一溝槽于所述外延結構內，所述第一溝槽貫穿所述外延結構，以將所述外延結構分成至少兩個發光單元；
形成至少兩個絕緣層于所述第一溝槽內；
形成至少一個第一電極于所述第一溝槽內，以連接所述至少兩個發光單元，且所述發光單元內的發光子單元通過所述第一電極連接，以形成公共陽極；
形成至少兩個第二電極于所述第一反射層的背面上；
其中，每一所述發光子單元包括一發光孔，所述第一電極圍繞在所述發光孔的外周；
其中，所述第一電極在所述第一溝槽內從所述外延結構的背面向所述外延結構的正面延伸，位于所述外延結構正面的部分所述第一電極與所述第二反射層連接；
其中，位于所述外延結構背面的部分所述第一電極與位于所述外延結構背面上的部分所述絕緣層接觸。
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