[發(fā)明專利]一種壓電薄膜及其制備方法、確定壓電晶軸方向的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010143541.5
• 申請日: 2020-03-04
• 公開（公告）號: CN111341904B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張秀全;劉桂銀;李真宇;薛海蛟
• 申請（專利權(quán)）人: 濟南晶正電子科技有限公司
• 主分類號: H10N30/072
• 分類號: H10N30/072;H10N30/04;H10N30/09;H10N30/30;H01L23/544
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種壓電薄膜制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在薄膜基板的鍵合面邊緣預(yù)設(shè)位置制作三個定位標(biāo)記，包括第一定位標(biāo)記、第二定位標(biāo)記和第三定位標(biāo)記，其中，所述第一定位標(biāo)記和第二定位標(biāo)記以所述薄膜基板主定位邊的中垂線為對稱軸對稱設(shè)置，所述第一定位標(biāo)記和第二定位標(biāo)記均與所述薄膜基板主定位邊平行；以所述第一定位標(biāo)記和第二定位標(biāo)記的連線為界限，所述第三定位標(biāo)記位于所述薄膜基板主定位邊的對邊，所述第三定位標(biāo)記與所述薄膜基板主定位邊垂直；

向所述薄膜基板的鍵合面注入離子，將所述薄膜基板依次分為薄膜層、分離層和余質(zhì)層；

將薄膜基板的鍵合面與襯底基板鍵合，得到鍵合體；

對所述鍵合體進行熱處理，將所述余質(zhì)層與所述薄膜層分離，得到壓電薄膜；

對薄膜層進行切邊修正，得到修正后的壓電薄膜，所述切邊修正后的薄膜層上依然保留有三個定位標(biāo)記，利用修正后薄膜層上的定位標(biāo)記，來確定壓電晶軸方向。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在薄膜基板的鍵合面邊緣預(yù)設(shè)位置制作三個定位標(biāo)記的方法包括：光刻法或機械刻蝕法。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，采用光刻方法，在薄膜基板的鍵合面邊緣預(yù)設(shè)位置制作三個定位標(biāo)記，包括：

在所述薄膜基板的鍵合面涂布光刻膠；

制作光刻模版，所述光刻模板上包括定位標(biāo)記位置；

將光刻模板與薄膜基板的鍵合面對準(zhǔn)，并通過曝光將光刻模板上的定位標(biāo)記圖形在光刻膠涂層上顯影；

按照光刻膠涂層上的定位標(biāo)記顯影圖形進行刻蝕處理，使薄膜基板的鍵合面上顯示定位標(biāo)記。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位標(biāo)記為條形缺口或三角形缺口。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位標(biāo)記的深度為10nm-1um，所述定位標(biāo)記的長度為3mm。

6.一種壓電薄膜，其特征在于，所述壓電薄膜包括依次疊加的薄膜層和襯底基板，修正后的壓電薄膜包括依次疊加的切邊修正后的薄膜層和襯底基板，所述薄膜層上包括薄膜層主定位邊和三個定位標(biāo)記，三個所述定位標(biāo)記包括第一定位標(biāo)記、第二定位標(biāo)記和第三定位標(biāo)記，其中，所述第一定位標(biāo)記和第二定位標(biāo)記以所述薄膜層主定位邊的中垂線為對稱軸對稱設(shè)置，所述第一定位標(biāo)記和第二定位標(biāo)記均與所述薄膜層主定位邊平行；以所述第一定位標(biāo)記和第二定位標(biāo)記的連線為界限，所述第三定位標(biāo)記位于所述薄膜層主定位邊的對邊，所述第三定位標(biāo)記與所述薄膜層主定位邊垂直，所述切邊修正后的薄膜層上依然保留有三個定位標(biāo)記，利用修正后薄膜層上的定位標(biāo)記，來確定壓電晶軸方向。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電薄膜，其特征在于，所述定位標(biāo)記為條形缺口或三角形缺口。

8.一種確定壓電薄膜壓電晶軸方向的方法，其特征在于，采用權(quán)利要求6所述的壓電薄膜，根據(jù)定位標(biāo)記確定所述壓電薄膜壓電晶軸方向。