[發明專利]一種壓電薄膜及其制備方法、確定壓電晶軸方向的方法

有效

• 申請號: 202010143541.5
• 申請日: 2020-03-04
• 公開（公告）號: CN111341904B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 張秀全;劉桂銀;李真宇;薛海蛟
• 申請（專利權）人: 濟南晶正電子科技有限公司
• 主分類號: H10N30/072
• 分類號: H10N30/072;H10N30/04;H10N30/09;H10N30/30;H01L23/544
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種壓電薄膜制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在薄膜基板的鍵合面邊緣預設位置制作三個定位標記，包括第一定位標記、第二定位標記和第三定位標記，其中，所述第一定位標記和第二定位標記以所述薄膜基板主定位邊的中垂線為對稱軸對稱設置，所述第一定位標記和第二定位標記均與所述薄膜基板主定位邊平行；以所述第一定位標記和第二定位標記的連線為界限，所述第三定位標記位于所述薄膜基板主定位邊的對邊，所述第三定位標記與所述薄膜基板主定位邊垂直；

向所述薄膜基板的鍵合面注入離子，將所述薄膜基板依次分為薄膜層、分離層和余質層；

將薄膜基板的鍵合面與襯底基板鍵合，得到鍵合體；

對所述鍵合體進行熱處理，將所述余質層與所述薄膜層分離，得到壓電薄膜；

對薄膜層進行切邊修正，得到修正后的壓電薄膜，所述切邊修正后的薄膜層上依然保留有三個定位標記，利用修正后薄膜層上的定位標記，來確定壓電晶軸方向。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在薄膜基板的鍵合面邊緣預設位置制作三個定位標記的方法包括：光刻法或機械刻蝕法。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，采用光刻方法，在薄膜基板的鍵合面邊緣預設位置制作三個定位標記，包括：

在所述薄膜基板的鍵合面涂布光刻膠；

制作光刻模版，所述光刻模板上包括定位標記位置；

將光刻模板與薄膜基板的鍵合面對準，并通過曝光將光刻模板上的定位標記圖形在光刻膠涂層上顯影；

按照光刻膠涂層上的定位標記顯影圖形進行刻蝕處理，使薄膜基板的鍵合面上顯示定位標記。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位標記為條形缺口或三角形缺口。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位標記的深度為10nm-1um，所述定位標記的長度為3mm。

6.一種壓電薄膜，其特征在于，所述壓電薄膜包括依次疊加的薄膜層和襯底基板，修正后的壓電薄膜包括依次疊加的切邊修正后的薄膜層和襯底基板，所述薄膜層上包括薄膜層主定位邊和三個定位標記，三個所述定位標記包括第一定位標記、第二定位標記和第三定位標記，其中，所述第一定位標記和第二定位標記以所述薄膜層主定位邊的中垂線為對稱軸對稱設置，所述第一定位標記和第二定位標記均與所述薄膜層主定位邊平行；以所述第一定位標記和第二定位標記的連線為界限，所述第三定位標記位于所述薄膜層主定位邊的對邊，所述第三定位標記與所述薄膜層主定位邊垂直，所述切邊修正后的薄膜層上依然保留有三個定位標記，利用修正后薄膜層上的定位標記，來確定壓電晶軸方向。

7.根據權利要求6所述的壓電薄膜，其特征在于，所述定位標記為條形缺口或三角形缺口。

8.一種確定壓電薄膜壓電晶軸方向的方法，其特征在于，采用權利要求6所述的壓電薄膜，根據定位標記確定所述壓電薄膜壓電晶軸方向。