[發(fā)明專利]用于控制可轉(zhuǎn)印半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的釋放的系統(tǒng)及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010142765.4
• 申請(qǐng)日: 2015-06-18
• 公開（公告）號(hào): CN111180381B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 克里斯托弗·鮑爾;馬修·邁托
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 艾克斯展示公司技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;H01L21/56;H01L21/78;H01L21/60;B81C99/00
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 劉鋒

1.一種微型裝置陣列，所述陣列包括：

源襯底，其具有工藝側(cè)；

犧牲層，其包括犧牲材料，位于所述源襯底的所述工藝側(cè)上；

多個(gè)可釋放微型物件，其至少部分地形成在所述犧牲層上；

多個(gè)錨結(jié)構(gòu)，其位于所述源襯底的所述工藝側(cè)上，其中所述錨結(jié)構(gòu)在不存在所述犧牲材料的情況下保持剛性附接到所述源襯底；及

多個(gè)系鏈，其中所述多個(gè)系鏈中的每一系鏈將所述多個(gè)可釋放微型物件中的一可釋放微型物件連接到所述錨結(jié)構(gòu)中的一者的一部分，其中：

所述系鏈所連接到的所述錨結(jié)構(gòu)中的所述一者的所述一部分橫向地分離鄰近的可釋放微型物件，

每一可釋放微型物件由單個(gè)系鏈連接到所述錨結(jié)構(gòu)中的錨結(jié)構(gòu)，

所述源襯底是由襯底材料制成的生長(zhǎng)襯底，所述微型物件形成在所述襯底材料上面或上方，且所述系鏈由系鏈材料制成，

所述系鏈材料與所述襯底材料是相同的材料，或者所述系鏈材料未被放置在所述可釋放微型物件與所述源襯底之間，且

所述系鏈經(jīng)塑形以響應(yīng)于壓力而斷裂。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述多個(gè)系鏈中的每一者經(jīng)定大小及塑形以在對(duì)應(yīng)微型物件由彈性體印模接觸以用于從所述源襯底微轉(zhuǎn)印印刷到不同于所述源襯底的目標(biāo)襯底時(shí)斷開。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述犧牲材料是所述源襯底的一部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述多個(gè)可釋放微型物件中的至少兩個(gè)或更多個(gè)由各個(gè)系鏈連接到所述多個(gè)錨結(jié)構(gòu)的每一者。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述多個(gè)錨結(jié)構(gòu)中的每一者由局部凹拐角或內(nèi)拐角表征，且所述多個(gè)可釋放微型物件中的每一者由凸拐角或外拐角局部地表征。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述多個(gè)系鏈中的每一者是寬度為10μm到40μm的系鏈。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述多個(gè)系鏈中的每一者是具有狹窄形狀及1μm到5μm、5μm到10μm、10μm到15μm、15μm到20μm或20μm到40μm的寬度的系鏈。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述犧牲層具有各向異性晶體結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述犧牲層包括選自由以下各項(xiàng)組成的群組的材料：硅(111)、InAlP、InP、GaAs、InGaAs、AlGaAs、GaSb、GaAlSb、AlSb、InSb、InGaAlSbAs、InAlSb及InGaP。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述犧牲層包括硅(111)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述系鏈中的每一者包括一或多個(gè)凹口，所述一或多個(gè)凹口在相應(yīng)可釋放微型物件相對(duì)于所述錨結(jié)構(gòu)移動(dòng)時(shí)提供斷裂點(diǎn)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述源襯底包括選自由以下各項(xiàng)組成的群組的部件：硅(111)、硅、磷化銦、砷化鎵及藍(lán)寶石。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述系鏈中的每一者具有大于1.732的縱橫比。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列，其中所述犧牲層包含InAlP。