[發明專利]混合中介體及半導體封裝件

在審

• 申請號: 202010141944.6
• 申請日: 2020-03-04
• 公開（公告）號: CN111653561A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 曺正鉉;許榮植;李榮官;金鐘錄
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/485
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫麗妍;王秀君

本公開提供一種混合中介體及半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：中介體，包括芯基板和連接結構，所述芯基板具有腔并且具有使所述芯基板的上表面和下表面連接的貫通過孔，并且所述連接結構包括位于所述芯基板的上表面上的絕緣構件和位于所述絕緣構件上的重新分布層；半導體芯片，位于所述連接結構的上表面上，并且包括連接到所述重新分布層的連接墊；無源組件，容納在所述腔中；第一絕緣層，設置在所述芯基板與所述連接結構之間；第一布線層，位于所述第一絕緣層上，并且將所述貫通過孔和所述無源組件連接到所述重新分布層；第二絕緣層，位于所述芯基板的下表面上；以及第二布線層，位于所述第二絕緣層的下表面上，并且連接到所述貫通過孔。

本申請要求于2019年3月4日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0024733號韓國專利申請的優先權的權益，所述韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。

技術領域

本公開涉及一種混合中介體及包括該混合中介體的半導體封裝件。

背景技術

隨著裝置的規格的提高和高帶寬存儲器(HBM)的使用，中介體市場不斷增長。目前，主要將硅用作中介體的材料，但為了增大面積并降低成本，已經進行了對玻璃或有機形成工藝的開發。

在高性能的半導體封裝件中，無源組件(諸如，電容器)需要設置在與半導體芯片相鄰的區域中，以改善由于寄生電感的產生導致的功率噪聲和功率完整性。

發明內容

本公開的一方面可提供一種混合中介體以及包括該混合中介體的半導體封裝件，其中，無源組件可嵌在所述混合中介體中。

根據本公開的一方面，一種半導體封裝件可包括：中介體，包括芯基板和連接結構，所述芯基板具有至少一個腔并且具有使所述芯基板的上表面和下表面彼此連接的貫通過孔，并且所述連接結構包括設置在所述芯基板的上表面上的絕緣構件和設置在所述絕緣構件上的重新分布層；至少一個半導體芯片，設置在所述中介體的所述連接結構的上表面上，并且包括連接到所述重新分布層的連接墊；無源組件，容納在所述至少一個腔中；第一絕緣層，設置在所述芯基板與所述連接結構之間，并且將所述無源組件包封在所述至少一個腔中；第一布線層，設置在所述第一絕緣層上，并且將所述貫通過孔和所述無源組件連接到所述重新分布層；第二絕緣層，設置在所述芯基板的下表面上；以及第二布線層，設置在所述第二絕緣層的下表面上，并且連接到所述貫通過孔。

根據本公開的另一方面，一種混合中介體可包括：芯基板，具有至少一個腔，并且具有使所述芯基板的上表面和下表面彼此連接的貫通過孔；無源組件，容納在所述至少一個腔中；第一絕緣層，設置在所述芯基板的上表面上，并且將所述無源組件包封在所述至少一個腔中；第一布線層，設置在所述第一絕緣層上，并且連接到所述貫通過孔和所述無源組件；第二絕緣層，設置在所述芯基板的下表面上；第二布線層，設置在所述第二絕緣層的下表面上，并且連接到所述貫通過孔；以及連接結構，包括絕緣構件和重新分布層，所述絕緣構件設置在所述芯基板的上表面上，所述重新分布層設置在所述絕緣構件上并且連接到所述第一布線層。

根據本公開的另一方面，一種半導體封裝件可包括：中介體，包括芯基板和連接結構，所述芯基板具有至少一個腔并且具有使所述芯基板的上表面和下表面彼此連接的貫通過孔，無源組件嵌在所述至少一個腔中，并且所述連接結構包括設置在所述芯基板的上表面上的絕緣構件和設置在所述絕緣構件上的重新分布層；多個半導體芯片，設置在所述連接結構的上表面上，并且包括連接到所述重新分布層的連接墊；第一絕緣層，設置在所述芯基板與所述連接結構之間，并且將所述無源組件包封在所述至少一個腔中；第一布線層，設置在所述第一絕緣層上，并且將所述貫通過孔和所述無源組件連接到所述重新分布層；第二絕緣層，設置在所述芯基板的下表面上；以及第二布線層，設置在所述第二絕緣層的下表面上，并且連接到所述貫通過孔。在平面圖中，所述至少一個腔中的一個腔可與所述多個半導體芯片中的彼此相鄰的兩個或更多個半導體芯片疊置。

附圖說明