[發(fā)明專利]導(dǎo)電膜及其制備方法、觸控面板、顯示裝置及電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010141495.5
• 申請(qǐng)日: 2020-03-04
• 公開（公告）號(hào): CN113362990A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張學(xué)強(qiáng);于國華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南昌歐菲顯示科技有限公司
• 主分類號(hào): H01B5/14
• 分類號(hào): H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 單驍越

1.一種導(dǎo)電膜，其特征在于，包括

基底或表面形成有基質(zhì)層的基底；

導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層為設(shè)置于所述基底上或基質(zhì)層上的網(wǎng)格狀可拉伸導(dǎo)電層，所述網(wǎng)格狀可拉伸導(dǎo)電層為網(wǎng)格狀可拉伸導(dǎo)電膠層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，在所述基底或基質(zhì)層設(shè)有網(wǎng)格狀凹槽，所述可拉伸導(dǎo)電膠填充于所述凹槽以形成網(wǎng)格狀可拉伸導(dǎo)電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述基底為PDMS基底。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述基底的厚度為30μm～100μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述網(wǎng)格狀可拉伸導(dǎo)電層的線寬度為1μm～5μm，及/或，所述網(wǎng)格狀可拉伸導(dǎo)電層的線間距為50μm～500μm，及/或，所述網(wǎng)格狀可拉伸導(dǎo)電層的線厚度為3μm～7μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述網(wǎng)格狀凹槽為規(guī)則網(wǎng)格或隨機(jī)網(wǎng)格，所述規(guī)則網(wǎng)格為正方形網(wǎng)格、矩形網(wǎng)格、菱形或正六邊形網(wǎng)格。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述可拉伸導(dǎo)電膠由作為連接相的柔性樹脂和作為導(dǎo)電相的納米導(dǎo)電顆粒混和而成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述納米導(dǎo)電顆粒的粒徑為30nm～100nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述納米導(dǎo)電顆粒為片狀納米導(dǎo)電顆粒，所述片狀顆粒厚度為20nm～50nm，寬度為1μ～3μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述納米導(dǎo)電顆粒為納米銀粉顆粒。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述柔性樹脂為聚氨酯或EVA樹脂。

12.一種如權(quán)利要求1～11任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供所述基底或表面形成有基質(zhì)層的基底；

在基底或基質(zhì)層形成網(wǎng)格狀凹槽；

在網(wǎng)格狀凹槽處填充可拉伸導(dǎo)電膠，得到導(dǎo)電膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述基底由形成基底的液體材質(zhì)涂布成薄膜形成。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法，其特征在于，所述基底材質(zhì)選用UV型或者熱固型PDMS。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法，其特征在于，在基底上形成網(wǎng)格狀凹槽的步驟為通過壓印工藝在基材上形成網(wǎng)格狀凹槽。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述通過壓印工藝在基底上形成網(wǎng)格狀凹槽的步驟之后，還包括將形成基底的液體材質(zhì)固化的步驟。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，所述通過壓印工藝在基底上形成網(wǎng)格狀凹槽及將液體材質(zhì)固化的步驟均在真空條件進(jìn)行。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，在基底的凹槽處填充可拉伸導(dǎo)電膠的步驟之后還包括將所填充的可拉伸導(dǎo)電膠加熱固化的步驟，得到所述導(dǎo)電膜。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制備方法，其特征在于，所述將填充的導(dǎo)電銀膠固化步驟中的固化溫度為110～150℃，固化時(shí)間為20～60min。