[發明專利]一種檢測半導體晶圓鈍化層上針孔缺陷的方法在審
| 申請號： | 202010140845.6 | 申請日： | 2020-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN111341683A | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發明（設計）人： | 張南;華佑南;李曉旻 | 申請（專利權）人： | 勝科納米（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京崇智專利代理事務所(普通合伙) 11605 | 代理人： | 趙麗娜 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市工業園*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 檢測 半導體 鈍化 針孔 缺陷 方法 | ||
1.一種檢測半導體晶圓鈍化層上針孔缺陷的方法，其特征在于，通過對所述晶圓的鈍化層滲透熒光分子來檢測。
2.根據權利要求1所述的檢測半導體晶圓鈍化層上針孔缺陷的方法，其特征在于，所述熒光分子的極性與所述鈍化層材料的極性相似；
進一步地，所述熒光分子的粒徑小于10nm，優選為不大于5nm。
3.根據權利要求2所述的檢測半導體晶圓鈍化層上針孔缺陷的方法，其特征在于，所述熒光分子為水溶性熒光分子；
優選地，所述熒光分子包括熒光素、羅丹明B、羅丹明6G、三(8-羥基喹啉)鋁。
4.根據權利要求1所述的檢測半導體晶圓鈍化層上針孔缺陷的方法，其特征在于，所述檢測為：用熒光顯微鏡或者共聚焦顯微鏡追蹤進入到所述晶圓鈍化層缺陷中的熒光分子。
5.根據權利要求4所述的檢測半導體晶圓鈍化層上針孔缺陷的方法，其特征在于，所述檢測還包括：采用聚焦離子束切割對所述晶圓鈍化層中的缺陷處理，然后進行掃描電鏡檢測。
6.根據權利要求1-5任一項所述的檢測半導體晶圓鈍化層上針孔缺陷的方法，其特征在于，采用熒光分子配置的熒光溶液浸泡所述晶圓，然后進行檢測。
7.根據權利要求6所述的檢測半導體晶圓鈍化層上針孔缺陷的方法，其特征在于，所述熒光溶液的濃度為1-1000ppm；
進一步地，所述熒光溶液浸泡所述晶圓的時間為0.1-100小時。
8.根據權利要求6所述的檢測半導體晶圓鈍化層上針孔缺陷的方法，其特征在于，所述晶圓在所述熒光溶液浸泡前進行清潔；
進一步地，所述晶圓在所述熒光溶液浸泡前采用有機溶劑擦拭，使其表面潔凈。
9.根據權利要求6所述的檢測半導體晶圓鈍化層上針孔缺陷的方法，其特征在于，所述晶圓浸泡所述熒光溶液后進行清洗和干燥，然后進行檢測。
10.根據權利要求9所述的檢測半導體晶圓鈍化層上針孔缺陷的方法，其特征在于，所述清洗采用有機溶劑淋洗，去除表面多余的熒光分子殘留；
進一步地，所述有機溶劑包括乙醇、異丙醇、丙酮中的任一種或多種。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
