[發明專利]陶瓷電極、具有其的薄膜傳感器及該陶瓷電極的制作方法在審
| 申請號： | 202010140011.5 | 申請日： | 2020-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN111220320A | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 張心強;陳林 | 申請（專利權）人： | 中科九微科技有限公司 |
| 主分類號： | G01L21/00 | 分類號： | G01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 秦廣成 |
| 地址： | 637000 四川省南充市順慶*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陶瓷 電極 具有 薄膜 傳感器 制作方法 | ||
1.陶瓷電極，用于設置在薄膜傳感器的參考壓力腔(5)內并與膜片電極(4)相對，其特征在于，包括：
陶瓷基底(10)；
定電極層(7)，采用絲網印刷或物理氣相沉積的方式設置在所述陶瓷基底(10)的用于與所述膜片電極(4)相對的一面上；
支撐結構(8)，采用電鍍方式沉積在所述陶瓷基底(10)的與所述定電極層(7)所在的同一面上，所述支撐結構(8)與所述陶瓷基底(10)之間具有鍍層(9)，所述鍍層(9)與所述定電極層(7)的厚度相等。
2.根據權利要求1所述的陶瓷電極，其特征在于，所述支撐結構(8)位于定電極層(7)的外圈。
3.根據權利要求1所述的陶瓷電極，其特征在于，所述支撐結構(8)具有多個，多個所述支撐結構(8)沿圓周方向均勻設置。
4.根據權利要求3所述的陶瓷電極，其特征在于，多個所述支撐結構(8)構成非封閉的環形。
5.根據權利要求4所述的陶瓷電極，其特征在于，所述支撐結構(8)為弧形結構。
6.薄膜傳感器，其特征在于，包括：
殼體(1)，具有內腔；
膜片電極(4)，設置在所述殼體(1)內，并將所述殼體(1)的內腔分割為參考壓力腔(5)和外壓力測試腔(6)，所述外壓力測試腔(6)通過入口管(2)與外界連通；
陶瓷電極(3)，位于所述參考壓力腔(5)內，并與所述膜片電極(4)相對；所述陶瓷電極(3)的與所述膜片電極(4)相對的一面具有采用絲網印刷或物理氣相沉積的方式設置的定電極層(7)；
所述陶瓷電極(3)的與所述膜片電極(4)相對的一面具有采用電鍍方式沉積的支撐結構(8)，所述支撐結構(8)與所述陶瓷電極(3)的陶瓷基底(10)之間具有鍍層(9)，所述鍍層(9)與所述定電極層(7)的厚度相等。
7.根據權利要求6所述的薄膜傳感器，其特征在于，所述支撐結構(8)為設置在所述定電極層(7)的外圈的非封閉的環形。
8.陶瓷電極的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
設置定電極層(7)和鍍層(9)，在陶瓷基底(10)上采用絲網印刷或物理氣相沉積的方式形成定電極層(7)和鍍層(9)，并使所述鍍層(9)與所述定電極層(7)的厚度相等；
設置導氣層，在鍍層(9)上采用電鑄方式沉積支撐結構(8)，使所述支撐結構(8)在所述陶瓷基底(10)上具有間隔設置的多個，所述支撐結構(8)的頂面適于與膜片電極(4)直接接觸。
9.根據權利要求8所述的陶瓷電極的制作方法，其特征在于，所述鍍層(9)設置在所述定電極層(7)的外圈。
10.根據權利要求8所述的陶瓷電極的制作方法，其特征在于，所述支撐結構(8)的厚度為25微米的倍數。
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