[發(fā)明專利]金屬互連層的制作方法

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• 申請日: 2020-03-03
• 公開（公告）號: CN111312595A
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張紀(jì)穩(wěn);張玉貴;崔助鳳
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥晶合集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種金屬互連層的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底中開設(shè)有至少一個(gè)凹槽；

形成一金屬層于所述半導(dǎo)體基底上，所述金屬層填充所述凹槽并向上凸出所述凹槽至第一高度，所述金屬層還覆蓋所述半導(dǎo)體基底的頂表面，并且所述金屬層中覆蓋所述半導(dǎo)體基底頂表面部分的頂部位置對應(yīng)于第二高度的位置，所述第一高度高于所述第二高度；

刻蝕所述金屬層中至少對應(yīng)于所述凹槽的部分，以使所述金屬層中對應(yīng)于所述凹槽部分的頂部位置降低至第三高度的位置，所述第三高度與所述第二高度之間的高度差小于所述第一高度和所述第二高度之間的高度差。

2.如權(quán)利要求1所述的金屬互連層的制作方法，其特征在于，所述第三高度與所述第二高度之間的高度差小于或等于50nm。

3.如權(quán)利要求1所述的金屬互連層的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體基底中定義有凹槽區(qū)域，所述至少一個(gè)凹槽形成在所述凹槽區(qū)域中；其中，所述金屬層中對應(yīng)于所述凹槽區(qū)域部分的頂部位置對應(yīng)于第一高度的位置，所述金屬層中對應(yīng)于除凹槽區(qū)域之外的區(qū)域部分的頂部位置對應(yīng)于第二高度的位置；

以及，刻蝕所述金屬層中至少對應(yīng)于所述凹槽部分的方法包括：刻蝕所述金屬層中對應(yīng)于所述凹槽區(qū)域部分的頂部位置以使所述金屬層中對應(yīng)于所述凹槽區(qū)域部分的頂部位置降低至第三高度的位置。

4.如權(quán)利要求3所述的金屬互連層的制作方法，其特征在于，形成一金屬層于所述半導(dǎo)體基底上的方法包括：利用電鍍工藝在所述半導(dǎo)體基底上形成所述金屬層。

5.如權(quán)利要求4所述的金屬互連層的制作方法，其特征在于，在電鍍形成所述金屬層之前，所述方法還包括：

在所述凹槽區(qū)域中的所述凹槽中和所述凹槽外圍的半導(dǎo)體基底頂表面上分布促進(jìn)劑。

6.如權(quán)利要求1所述的金屬互連層的制作方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體基底上形成金屬層之前，所述方法還包括：形成一連接層于所述半導(dǎo)體基底上，所述連接層覆蓋所述半導(dǎo)體基底頂表面、所述至少一個(gè)凹槽側(cè)壁的表面以及所述至少一個(gè)凹槽底壁的表面。

7.如權(quán)利要求6所述的金屬互連層的制作方法，其特征在于，所述連接層的材質(zhì)包括金屬。

8.如權(quán)利要求1所述的金屬互連層的制作方法，其特征在于，在刻蝕所述金屬層之后，所述方法還包括：利用研磨工藝研磨所述半導(dǎo)體基底上方的金屬層，以暴露出所述半導(dǎo)體基底的表面。

9.如權(quán)利要求1至8任一所述的金屬互連層的制作方法，其特征在于，所述金屬層的材質(zhì)包括銅。

10.如權(quán)利要求1所述的金屬互連層的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體基底包括一絕緣層，所述至少一個(gè)凹槽開設(shè)于所述絕緣層中。