[發(fā)明專利]陣列基板及其修復(fù)方法、液晶顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010139829.5 | 申請日: | 2020-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN111308817A | 公開(公告)日: | 2020-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙赫 | 申請(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 呂姝娟 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 修復(fù) 方法 液晶顯示 面板 | ||
本發(fā)明提供了一種陣列基板及其修復(fù)方法、液晶顯示面板,該陣列基板通過在第一金屬層內(nèi)設(shè)置第一連接線,在第二金屬層內(nèi)設(shè)置第二連接線,第二連接線在襯底上的投影,與相鄰的兩條第一連接線在襯底上的投影存在部分重合,第二連接端子在襯底上的投影,分別與第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線在襯底上的投影部分重合;當數(shù)據(jù)線發(fā)生斷點時,可以通過將斷點兩端的數(shù)據(jù)線分別與相鄰的兩條第一連接線熔接,將相鄰的兩條第一連接線與第二連接線熔接,將相鄰的兩條第一連接線與公共電極線斷開,實現(xiàn)斷點兩端數(shù)據(jù)線的重新連接;該技術(shù)方案極大地改進了現(xiàn)有TFT?LCD垂直斷線修復(fù)技術(shù)的缺陷。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板及其修復(fù)方法、液晶顯示面板。
背景技術(shù)
在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)中,由于TFT制程存在缺陷會出現(xiàn)垂直斷線的問題,從而導(dǎo)致顯示面板的一些像素點始終呈現(xiàn)亮態(tài)的現(xiàn)象。
現(xiàn)有技術(shù)中一般采用長膜修復(fù)的方式對斷線的進行修復(fù),如圖1所示,將斷線101借助長膜102修復(fù)導(dǎo)通,然后再對相鄰的像素103做暗點處理。但是這種修復(fù)方法存在一些列缺陷:在TFT檢測階段對斷線進行修復(fù)后,在后段的清洗及返工過程中極易造成長膜斷裂,導(dǎo)致修復(fù)失敗;對于在TFT檢測階段未檢測出來而在液晶盒檢測階段檢測出來的斷線,該方法無法進行修復(fù);對于長斷線,即跨越兩個以上像素的垂直斷線問題,該方法無法修復(fù);采用長膜修復(fù)還伴有暗點化。
因此,現(xiàn)有TFT-LCD垂直斷線修復(fù)技術(shù)存在缺陷的問題,需要改進。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板及其修復(fù)方法、液晶顯示面板,以改進現(xiàn)有TFT-LCD垂直斷線修復(fù)技術(shù)的缺陷。
為解決以上問題,本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明提供一種陣列基板,其包括
襯底;
第一金屬層,形成于所述襯底上,包括柵極線、公共電極線、以及第一連接線,所述柵極線與所述公共電極線相互平行,所述第一連接線和所述公共電極線連接,所述第一連接線和所述柵極線斷接;
第二金屬層,形成于所述第一金屬層之上,包括數(shù)據(jù)線以及第二連接線,所述數(shù)據(jù)線和所述第二連接線相互平行;
其中,所述第二連接線在襯底上的投影,與相鄰的兩條所述第一連接線在襯底上的投影存在部分重合,所述第一連接線在所述襯底上的投影,與相鄰的兩條所述數(shù)據(jù)線在襯底上的投影存在部分重合;
當所述數(shù)據(jù)線發(fā)生斷點時,將所述斷點兩端的所述數(shù)據(jù)線分別與相鄰的兩條所述第一連接線連接,將相鄰的兩條所述第一連接線與所述第二連接線連接,將相鄰的兩條所述第一連接線與所述公共電極線斷開,實現(xiàn)所述數(shù)據(jù)線的重新連接。
在本發(fā)明提供的陣列基板中,所述第一連接線包括第一連接線部、第一連接端子和第二連接端子,所述第一連接端子和所述第二連接端子分別位于所述第一連接線部的兩端,所述第一連接端子與所述公共電極線連接,所述第二連接端子在所述襯底上的投影,與相鄰的兩條所述數(shù)據(jù)線在所述襯底上的投影重合。
在本發(fā)明提供的陣列基板中,所述公共電極線包括公共電極線部和存儲電容的第一電極板,所述第一連接端子與所述存儲電容的第一電極板連接,所述第一連接線部與所述公共電極線部相互垂直,所述第一連接線部與所述公共電極線部不接觸。
在本發(fā)明提供的陣列基板中,所述第二金屬層包括薄膜晶體管的源極、漏極、以及存儲電容的第二電極板,所述薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線連接,所述薄膜晶體管的漏極與所述存儲電容的第二電極板連接。
在本發(fā)明提供的陣列基板中,所述數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線,所述第一數(shù)據(jù)線與奇數(shù)行的所述薄膜晶體管的源極連接、所述第二數(shù)據(jù)線與偶數(shù)行的所述薄膜晶體管的源極連接。
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G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學
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G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





