[發明專利]鰭結構制作方法

在審

• 申請號: 202010138884.2
• 申請日: 2020-03-03
• 公開（公告）號: CN111564413A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 姚周;劉厥揚;胡展源
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種鰭結構制作方法，其用于FinFET制作工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1，形成鰭結構圖形；

S2，在襯底上刻蝕形成鰭結構后，去除光阻并清潔；各鰭結構頂部自上而下依次形成有硬掩膜氧化層、有源區襯墊氮化硅層和有源區襯墊氧化層；

S3，修復刻蝕造成的缺陷；

S4，淀積第一次填充種子層；

S5，第一次填充將鰭結構覆蓋；

S6，第一次平坦化去除硬掩膜氧化層直至有源區襯墊氮化硅層；

S7，對鰭結構進行修整，使鰭結構僅存在于有源區的正上方；

S8，第二次填充將鰭結構覆蓋；

S9，第二次平坦化；

S10，掩膜去除和清潔；

S11，回刻蝕露出鰭結構上部；

S12，在鰭結構上部形成柵氧化層。

2.如權利要求1所述的鰭結構制作方法，其特征在于：步驟S3包括以下子步驟；

S3.1，溝槽襯底氧化層預清潔；

S3.2，在溝槽內形成溝槽襯底氧化層。

3.如權利要求1所述的鰭結構制作方法，其特征在于：實施步驟S4時，采用ALD工藝沉積氧化層作為第一次填充種子層。

4.如權利要求1所述的鰭結構制作方法，其特征在于：實施步驟S5時，采用FCVD工藝淀積填充氧化層及熱退火形成覆蓋。

5.如權利要求1所述的鰭結構制作方法，其特征在于：實施步驟S6時，對FCVD工藝淀積填充氧化層平坦化。

6.如權利要求1所述的鰭結構制作方法，其特征在于：步驟S7包括以下子步驟；

S7.1整根去除有源區相鄰的兩根鰭結構；

S7.2將有源區正上方鰭結構位于有源區外的部分去除，并將其余位于有源區外的所有鰭結構去除。

7.如權利要求1所述的鰭結構制作方法，其特征在于：實施步驟S8時，對HARP工藝淀積填充氧化層及熱退火將溝槽填滿。

8.如權利要求1所述的鰭結構制作方法，其特征在于：實施步驟S9時，對HARP工藝淀積填充氧化層平坦化。