[發(fā)明專利]一種氣體傳感器及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010138796.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111239224A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李汶懋;于洪宇;羅伯特·索科洛夫斯基;汪青;何明浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南方科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N27/414 | 分類號(hào): | G01N27/414 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;潘登 |
| 地址: | 518000 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氣體 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種氣體傳感器,其特征在于,包括:
襯底;
至少兩個(gè)氣體傳感單元,位于所述襯底上,所述氣體傳感單元包括異質(zhì)結(jié),位于所述異質(zhì)結(jié)之上的源極、漏極以及功能性膜層構(gòu)成的柵極,其中,所述氣體傳感單元之間的異質(zhì)結(jié)相互隔斷,所述功能性膜層用于探測(cè)氣體,且不同氣體傳感單元中的功能性膜層能夠探測(cè)的氣體不同;
鈍化層,覆蓋除所述功能性膜層以外的全部器件區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器,其特征在于,各所述氣體傳感單元的異質(zhì)結(jié)位于同一層且對(duì)應(yīng)膜層的材料相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體傳感器,其特征在于,任意相鄰兩個(gè)所述氣體傳感單元之間設(shè)置有用于隔斷所述異質(zhì)結(jié)的隔離槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體傳感器,其特征在于,所述鈍化層覆蓋所述隔離槽的內(nèi)壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體傳感器,其特征在于,每個(gè)所述氣體傳感單元還包括封裝管腳;
所述封裝管腳包括與所述柵極電連接的柵極管腳、與所述源極電連接的源極管腳以及與所述漏極電連接的漏極管腳。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣體傳感器,其特征在于,各所述氣體傳感單元中的源極管腳相互電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的氣體傳感器,其特征在于,所述功能性膜層的材料包括鉑金Pt、氧化鑭La2O3和二氧化錫SnO2中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的氣體傳感器,其特征在于,所述異質(zhì)結(jié)包括層疊的GaN溝道層和AlGaN勢(shì)壘層,所述AlGaN勢(shì)壘層位于所述GaN溝道層遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體襯底的一側(cè)。
9.一種氣體傳感器的制備方法,其特征在于,包括:
提供襯底;
在所述襯底上形成至少兩個(gè)氣體傳感單元,其中,所述氣體傳感單元包括異質(zhì)結(jié),位于所述異質(zhì)結(jié)之上的源極、漏極以及功能性膜層構(gòu)成的柵極,其中,所述氣體傳感單元之間的異質(zhì)結(jié)相互隔斷,所述功能性膜層用于探測(cè)氣體,且不同氣體傳感單元中的功能性膜層能夠探測(cè)的氣體不同;
在所述氣體傳感單元上形成鈍化層,其中,所述鈍化層覆蓋除所述功能性膜層以外的全部器件區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氣體傳感器的制備方法,其特征在于,在所述襯底上形成至少兩個(gè)氣體傳感單元,包括:
在所述襯底上依次外延生長(zhǎng)GaN溝道層和AlGaN勢(shì)壘層,形成異質(zhì)結(jié);
刻蝕任意相鄰兩個(gè)器件區(qū)之間的異質(zhì)結(jié),直至至少貫穿所述AlGaN勢(shì)壘層,形成隔離槽;
采用微納制造工藝在各器件區(qū)的異質(zhì)結(jié)上形成源極、漏極以及功能性膜層構(gòu)成的柵極。
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