[發(fā)明專利]存儲器裝置以及操作該存儲器裝置的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010138155.7
• 申請日: 2020-03-03
• 公開（公告）號: CN112309471A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 樸鐘慶;徐智賢
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/08;G11C16/24;G11C16/34
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

存儲器裝置以及操作該存儲器裝置的方法。根據(jù)實施方式的存儲器裝置包括：包括多個頁的存儲器單元塊，各個頁與多條字線中的字線對應；外圍電路，其被配置為對所述多個頁執(zhí)行編程操作；以及控制邏輯，其被配置為控制外圍電路執(zhí)行編程操作。控制邏輯根據(jù)所述多個頁中的每一頁的編程次序來改變和設定在編程操作的編程驗證操作期間施加到存儲器單元塊的位線的位線電壓。

技術(shù)領(lǐng)域

各種實施方式總體上涉及電子裝置，更具體地，涉及一種存儲器裝置以及操作該存儲器裝置的方法。

背景技術(shù)

半導體裝置(具體地，存儲器裝置)可被分類為易失性存儲器裝置或非易失性存儲器裝置。

非易失性存儲器裝置可具有相對低的寫和讀速度，但可在沒有供應電力的情況下保持所存儲的數(shù)據(jù)。因此，當需要存儲不管電力供應如何均應該保持的數(shù)據(jù)時，可使用非易失性存儲器裝置。非易失性存儲器裝置的示例包括只讀存儲器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃存、相變隨機存取存儲器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM)和鐵電RAM(FRAM)。閃存可被分類為NOR型存儲器和NAND型存儲器。

在這些非易失性存儲器裝置當中，閃存可同時具有數(shù)據(jù)可自由地編程和擦除的RAM的優(yōu)點以及即使沒有電力也可保持存儲在其中的數(shù)據(jù)的ROM的優(yōu)點。閃存已廣泛用作諸如數(shù)字相機、個人數(shù)字助理(PDA)和MP3播放器的便攜式電子裝置的存儲介質(zhì)。

閃存裝置可被分類為存儲器串水平地形成在半導體基板上的二維半導體裝置，或者存儲器串垂直地形成在半導體基板上的三維半導體裝置。

三維半導體裝置被設計為克服二維半導體裝置的集成極限，并且包括垂直地形成在半導體基板上的多個存儲器串。各個存儲器串可包括串聯(lián)聯(lián)接在位線和源極線之間的漏極選擇晶體管、存儲器單元和源極選擇晶體管。

發(fā)明內(nèi)容

各種實施方式提供了一種能夠在編程操作期間改進存儲器單元的閾值電壓分布的存儲器裝置以及操作該存儲器裝置的方法。

根據(jù)實施方式，一種存儲器裝置可包括存儲器單元塊，該存儲器單元塊包括多個頁，其中，多個頁中的每一頁對應于多條字線中的一條字線。存儲器裝置還可包括：外圍電路，其被配置為對多個頁執(zhí)行編程操作；以及控制邏輯，其被配置為控制外圍電路執(zhí)行編程操作。控制邏輯可根據(jù)多個頁中的每一頁的編程次序來改變和設定在編程操作的編程驗證操作期間施加到存儲器單元塊的位線的位線電壓。

根據(jù)實施方式，一種存儲器裝置可包括存儲器單元塊，該存儲器單元塊包括多個頁，其中，多個頁中的每一頁對應于依次設置在源極線和位線之間的多條字線中的字線。存儲器裝置還可包括：外圍電路，其被配置為對多個頁執(zhí)行編程操作；以及控制邏輯，其被配置為控制外圍電路執(zhí)行編程操作。控制邏輯可根據(jù)多個頁中的每一頁的編程次序來逐漸減小和設定在編程操作的編程驗證操作期間施加到存儲器單元塊的位線的位線電壓。

根據(jù)實施方式，一種操作存儲器裝置的方法可包括提供包括多個頁的存儲塊，其中，多個頁中的每一頁對應于多條字線中的字線。該方法還可包括以下步驟：根據(jù)多個頁中的每一頁的編程次序來為多個頁中的每一頁設定不同的位線電壓；以及通過依次選擇多個頁來執(zhí)行編程操作，其中，設定的位線電壓在編程操作的編程驗證操作期間施加到存儲塊的位線。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)實施方式的存儲器裝置的框圖。

圖2是示出三維結(jié)構(gòu)的存儲塊的圖。

圖3是示出圖2所示的存儲塊之一的詳細電路圖。

圖4是示出圖3所示的存儲器串的電路圖。

圖5是示出圖3所示的頁的電路圖。

圖6是示出圖1所示的控制邏輯的圖。