[發(fā)明專利]發(fā)光晶閘管、發(fā)光晶閘管陣列、曝光頭和圖像形成設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010137778.2
• 申請(qǐng)日: 2020-03-03
• 公開（公告）號(hào): CN111668350A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 內(nèi)田武志;須賀貴子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/06;H01L33/10;G03G15/04
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 張小穩(wěn)

1.一種發(fā)光晶閘管，其特征在于所述發(fā)光晶閘管包括層狀結(jié)構(gòu)，所述層狀結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體基板上按順序具有半導(dǎo)體DBR層、第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層、第三半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層，

其中，所述第三半導(dǎo)體層具有第一導(dǎo)電類型的至少一個(gè)第五半導(dǎo)體層和多量子阱結(jié)構(gòu)，

其中，所述第五半導(dǎo)體層存在于所述第二半導(dǎo)體層和所述多量子阱結(jié)構(gòu)之間，

其中，所述多量子阱結(jié)構(gòu)由勢(shì)壘層和量子阱層形成，以及

其中，所述量子阱層的數(shù)量大于或等于10。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光晶閘管，其中，所述第三半導(dǎo)體層具有存在于所述多量子阱結(jié)構(gòu)與所述第四半導(dǎo)體層之間的第一導(dǎo)電類型的另一第五半導(dǎo)體層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，所述量子阱層的數(shù)量是根據(jù)作為所述勢(shì)壘層的帶隙與所述量子阱層的帶隙之間的差的帶隙差來設(shè)定的。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光晶閘管，

其中，所述帶隙差小于或等于0.15eV，以及

其中，所述量子阱層的數(shù)量小于或等于50。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光晶閘管，

其中，所述帶隙差小于或等于0.105eV，以及

其中，所述量子阱層的數(shù)量小于或等于75。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光晶閘管，其中，所述量子阱層的數(shù)量是根據(jù)所述帶隙差和驅(qū)動(dòng)電壓來設(shè)定的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，所述多量子阱結(jié)構(gòu)為第一導(dǎo)電類型或i型。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，所述半導(dǎo)體基板是GaAs基板。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，所述半導(dǎo)體基板為n型或p型的導(dǎo)電類型。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光晶閘管，其中，所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層由基于AlGaAs的材料形成。

11.一種發(fā)光晶閘管陣列，其特征在于所述發(fā)光晶閘管陣列包括根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的多個(gè)發(fā)光晶閘管，

其中，所述多個(gè)發(fā)光晶閘管一維地排列。

12.一種曝光頭，其特征在于所述曝光頭包括：

根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光晶閘管陣列；以及

收集來自所述發(fā)光晶閘管陣列的光的光學(xué)系統(tǒng)。

13.一種圖像形成設(shè)備，其特征在于所述圖像形成設(shè)備包括：

圖像載體；

充電單元，對(duì)所述圖像載體的表面充電；

曝光頭，使由所述充電單元充電的所述圖像載體的表面曝光并在所述圖像載體的表面上形成靜電潛像；

顯影單元，對(duì)由所述曝光頭形成的所述靜電潛像進(jìn)行顯影；以及

轉(zhuǎn)印單元，將由所述顯影單元顯影的圖像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上，

其中，所述曝光頭具有根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光晶閘管陣列。

14.一種發(fā)光晶閘管，其特征在于所述發(fā)光晶閘管包括層狀結(jié)構(gòu)，所述層狀結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體基板上按順序具有半導(dǎo)體DBR層、第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層以及第二導(dǎo)電類型的第四半導(dǎo)體層，

其中，所述第二半導(dǎo)體層具有第二導(dǎo)電類型的至少一個(gè)第五半導(dǎo)體層和多量子阱結(jié)構(gòu)，

其中，所述第五半導(dǎo)體層存在于所述第一半導(dǎo)體層和所述多量子阱結(jié)構(gòu)之間，

其中，所述多量子阱結(jié)構(gòu)由勢(shì)壘層和量子阱層形成，以及

其中，所述量子阱層的數(shù)量大于或等于10。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光晶閘管，其中，所述半導(dǎo)體基板是GaAs基板。