[發明專利]真空蒸饃設備

在審

• 申請號: 202010137385.1
• 申請日: 2020-03-03
• 公開（公告）號: CN111188020A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 陳珉;黎守新
• 申請（專利權）人: 成都晶砂科技有限公司
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C14/24
• 代理公司: 成都百川興盛知識產權代理有限公司 51297
• 代理人: 王云春;夏曉明

1.一種真空蒸饃設備，其特征在于，包括：

真空室，其包括提供真空環境的空腔；

蒸發源，其設置于空腔內；

晶振座，其設置于空腔內，其朝向蒸發源；

晶振，其安裝于晶振座；

傳感器，其安裝于晶振座，其用于測量晶振的頻率變化量并將所測量的晶振的頻率變化量轉換成第一電信號；

前反饋控制模塊，其用于獲取第一電信號并對材料沉積在晶振上的時間進行計時得到沉積時間t，其用于基于所獲取的第一電信號得到晶振的頻率變化量，其用于基于晶振的頻率變化量計算得到沉積在晶振上的材料的質量變化量，再基于沉積在晶振上的材料的質量變化量和沉積時間計算得到蒸發源中材料的蒸發速率V；

機架，其設置于空腔內；

基板，其設置于空腔內；

發光部件，其設置于機架，其位于基板朝向蒸發源的面的前方并向基板發出入射光；

光電傳感器部件，其設置于機架，其位于與基板朝向蒸發源的面相背的那面并與發光部件對置，其用于感應入射光透過基板的光的透射光強度并將所感應的透射光強度轉換成第二電信號；

后反饋控制模塊，其用于獲取第二信號及發光部件向基板發出的入射光強度，然后基于所獲取的第二信號得到透射光強度，再基于所獲取的入射光強度、所得到的透射光強度計算得到蒸發成氣態的材料沉積在基板上膜層的實際測量厚度；

蒸發源擋板，其設置于空腔內位于蒸發源與基板、晶振之間的位置并能沿與蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑相交的軌跡往復移動使擋住蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑的面積增大、減小或保持不變；

第一驅動裝置，其用于驅動蒸發源擋板沿與蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑相交的軌跡往復移動；

總控制模塊，其用于將蒸發速率與預定蒸發速率比較得到比較結果并基于比較結果向前反饋控制模塊發出控制第一驅動裝置驅動蒸發源擋板沿與蒸發源中的材料在氣相時向晶振、基板流動的路徑相交的軌跡往復移動使擋住蒸發源中的材料在氣相時向晶振座、基板流動的路徑的面積增大、減小或保持不變的第一控制信號，其還用于當實際測量厚度等于或大于預定厚度值時發出表征蒸膜已完成的第二控制信號。

2.根據權利要求1所述真空蒸饃設備，其特征在于，所述前反饋控制模塊基于晶振的頻率變化量通過公式（1）計算得到沉積在晶振上的材料的質量變化量，

——————（1）

公式（1）中，ΔF_S表示晶振的頻率變化量，Δm表示沉積在晶振上的材料的質量變化量，f₀表示晶振的基本頻率，ρ_Q表示晶振的密度，μ_Q表示晶振的剪應力，A表示晶振的電極面積，N表示常數。

3.根據權利要求2所述真空蒸饃設備，其特征在于，所述前反饋控制模塊基于沉積在晶振上的材料的質量變化量和沉積時間通過公式（3）計算得到蒸發源中材料的蒸發速率V，

V=Δm/t————（3）。

4.根據權利要求1所述真空蒸饃設備，其特征在于，所述后反饋控制模塊基于所獲取的入射光強度、所得到的透射光強度通過公式（2）計算得到蒸發成氣態的材料沉積在基板上膜層的實際測量厚度，

——————（2）

公式（2）中，T為膜層的厚度，K為材料吸光系數，I_L為入射光強度，R_L為透射光強度。