[發(fā)明專利]一種寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010136825.1 | 申請日： | 2020-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN111235635A | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫文紅;王玉坤;李磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣西大學(xué) |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B19/00 |
| 代理公司： | 重慶市信立達專利代理事務(wù)所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 陳炳萍 |
| 地址： | 530000 廣西*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 寬禁帶 半導(dǎo)體 襯底 上旋涂單晶 生長 方法 | ||
1.一種寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法，其特征在于，所述寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法包括以下步驟：
步驟一，對寬禁帶半導(dǎo)體襯底進行徹底清洗；
步驟二，在經(jīng)過步驟一徹底清洗的寬禁帶半導(dǎo)體襯底上采用旋涂儀旋涂碘化鉛或無機鈣鈦礦前體溶液；
步驟三，經(jīng)過退火處理后，即可得到高質(zhì)量的碘化鉛和鈣鈦礦單晶薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法，其特征在于，步驟一中，所述寬禁帶半導(dǎo)體襯底徹底清洗的步驟包括：
(1)在超聲清洗機中用異丙醇，乙醇和去離子水各清洗30分鐘；
(2)利用紫外臭氧處理襯底15分鐘；
(3)紫外臭氧處理后置于加熱臺上70℃下保溫。
3.如權(quán)利要求1所述的寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法，其特征在于，步驟一中，所述寬禁帶半導(dǎo)體襯底是氮化鎵，氮化鋁，鋁鎵氮AlGaN，銦鎵氮InGaN或碳化硅，也包括單晶硅半導(dǎo)體襯底。
4.如權(quán)利要求1所述的寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法，其特征在于，步驟二中，所述旋涂儀的轉(zhuǎn)速設(shè)置在5000rpm到6000rpm之間。
5.如權(quán)利要求1所述的寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法，其特征在于，步驟二中，所述碘化鉛和鈣鈦礦溶液前體溶液的溫度保持在70℃。
6.如權(quán)利要求1所述的寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法，其特征在于，步驟二中，所述碘化鉛前體溶液的溶質(zhì)是純度大于99.9％的碘化鉛粉末；溶劑是N,N-二甲基甲酰胺與二甲基亞砜的混合溶液；其中，N,N-二甲基甲酰胺與二甲基亞砜的比例為4:1。
7.如權(quán)利要求6所述的寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法，其特征在于，所述碘化鉛前體溶液的濃度是0.5摩爾每升到2摩爾每升。
8.如權(quán)利要求1所述的寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法，其特征在于，步驟二中，所述鈣鈦礦溶液的前體溶液的溶質(zhì)是碘化鉛粉末，溴化鉛粉末，碘化銫粉末和溴化銫粉末；溶劑是N,N-二甲基甲酰胺與二甲基亞砜的混合溶液；其中，N,N-二甲基甲酰胺與二甲基亞砜的比例為1:1。
9.如權(quán)利要求8所述的寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法，其特征在于，所述鈣鈦礦溶液的濃度是0.3摩爾每升到0.5摩爾每升。
10.如權(quán)利要求1所述的寬禁帶半導(dǎo)體襯底上旋涂單晶的生長方法，其特征在于，步驟三中，碘化鉛和無機鈣鈦礦薄膜退火的溫度為100℃，退火時間為10分鐘；退火后的碘化鉛薄膜用快速退火爐于350℃的高溫下在氮氣氛圍中退70秒。
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