[發(fā)明專利]一種數(shù)模混合神經(jīng)元電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010136806.9 | 申請日: | 2020-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN111211780A | 公開(公告)日: | 2020-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張峰;李淼;趙婷;馬春宇 | 申請(專利權(quán))人: | 天津智模科技有限公司 |
| 主分類號: | H03M1/00 | 分類號: | H03M1/00 |
| 代理公司: | 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212 | 代理人: | 陳振玉 |
| 地址: | 300450 天津市濱海新區(qū)經(jīng)濟技術(shù)*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 數(shù)模 混合 神經(jīng)元 電路 | ||
本發(fā)明涉及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域,尤其涉及一種數(shù)?;旌仙窠?jīng)元電路,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)據(jù)存取時耗費大量的時間和能量的問題。本發(fā)明包括:輸入層電路、多個卷積層電路及輸出層電路,輸入層電路包括:數(shù)據(jù)存儲器、D/A轉(zhuǎn)換電路及權(quán)重存儲器;數(shù)據(jù)存儲器,用于存儲多比特位的激活值;D/A轉(zhuǎn)換電路,用于將數(shù)字量的激活值轉(zhuǎn)換為模擬量;權(quán)重存儲器,用于存儲與激活值一一對應(yīng)的二值權(quán)重值;多個卷積層電路,用于基于模擬量的激活值和與其對應(yīng)的二值權(quán)重值進行多次卷積操作,得到模擬電壓值;輸出層電路,用于輸出模擬電壓值的數(shù)字量。本發(fā)明通過在卷積操作前將數(shù)據(jù)值轉(zhuǎn)換為模擬量,則激活值以模擬量參與卷積運算,從而解決數(shù)據(jù)存取時的延時與能量消耗的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域,尤其涉及一種數(shù)?;旌仙窠?jīng)元電路。
背景技術(shù)
卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中最大的操作是乘加(MAC)操作,在一個卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中有數(shù)百萬甚至數(shù)億的MAC操作,需要消耗大量的能量。為了降低功耗,可采用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)量化算法。然而,將權(quán)重進行1bit量化,激活值進行定點量化(如4bit、8bit、16bit等)時,由于激活值為數(shù)字量,卷積中加法運算需要使用大量的電容,而且數(shù)據(jù)的存取操作需要耗費大量的時間和能量。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種數(shù)?;旌仙窠?jīng)元電路,當(dāng)權(quán)重1bit量化,激活值8bit、16bit或更高精度mbit量化時,在卷積操作前將數(shù)據(jù)值轉(zhuǎn)換為模擬量,則在卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的多個卷積層中,激活值一直以模擬量參與運算,這將大大減少神經(jīng)元電路的電容個數(shù),降低神經(jīng)元電路的復(fù)雜度,解決內(nèi)存與計算單元之間數(shù)據(jù)搬運而造成的計算延時與能量消耗的問題。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:
一種數(shù)?;旌仙窠?jīng)元電路,包括:
輸入層電路、多個卷積層電路及輸出層電路,其中,所述輸入層電路包括:數(shù)據(jù)存儲器、D/A轉(zhuǎn)換電路及權(quán)重存儲器;
所述數(shù)據(jù)存儲器,用于存儲多比特位的激活值;
所述D/A轉(zhuǎn)換電路,用于將數(shù)字量的激活值轉(zhuǎn)換為模擬量;
所述權(quán)重存儲器,用于存儲與所述激活值一一對應(yīng)的二值權(quán)重值;
多個所述卷積層電路,用于基于模擬量的激活值和與其對應(yīng)的二值權(quán)重值進行多次卷積操作,得到模擬電壓值;
所述輸出層電路,用于輸出所述模擬電壓值的數(shù)字量。
在一些優(yōu)先的實施例中,多個所述卷積層電路為M個卷積層電路,其中,第一個卷積層電路,用于對模擬量的激活值和與其對應(yīng)的二值權(quán)重值進行卷積操作,得到第一模擬電壓值;
第j個卷積層電路,用于對第j-1次卷積操作得到的模擬電壓值和與模擬量的激活值對應(yīng)的二值權(quán)重值進行卷積操作,得到相應(yīng)的第j模擬電壓值,直至j=M時輸出所述第M模擬電壓值至所述輸出層電路,其中,j=2,3,…M。
在一些優(yōu)先的實施例中,所述輸出層電路包括A/D轉(zhuǎn)換電路,用于將得到的所述模擬電壓值轉(zhuǎn)換為數(shù)字量。
在一些優(yōu)先的實施例中,
每個所述卷積層電路包括開關(guān)電容神經(jīng)元電路,所述開關(guān)電容神經(jīng)元電路包括:開關(guān)電容陣列、偏置電路和運算放大器,其中,
所述開關(guān)電容陣列,用于向所述運算放大器提供分壓;
所述偏置電路,用于修正所述分壓;
所述運算放大器,基于所述偏置電路修正后的分壓對模擬量的激活值進行寬矢量求和,輸出模擬電壓值。
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