[發明專利]無催化先驅體浸漬裂解法原位生長碳化硅納米線的方法

有效

• 申請號: 202010136681.X
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN111205100B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 成來飛;呂鑫元;葉昉;張立同
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: C04B35/80
• 分類號: C04B35/80;C04B35/573;C04B35/571;B33Y70/10;B33Y80/00
• 代理公司: 西安凱多思知識產權代理事務所(普通合伙) 61290
• 代理人: 王鮮凱

1.一種無催化先驅體浸漬裂解法原位生長碳化硅納米線的方法，其特征在于生長工藝具有“兩步法”特征，具體步驟如下：

步驟1：將聚碳硅烷PCS與溶劑配成混合溶液，然后浸漬到晶須預制體內，并在氬氣氣氛下固化裂解，固化溫度為150℃，固化時間2h；裂解溫度為900～1100℃，裂解時間為2～3h，升溫速率為2～5℃/min；所述聚碳硅烷PCS與溶劑的混合質量比為1:1～1:3；所述晶須預制體的孔隙結構為兩級孔隙結構，其中小孔孔徑在0.3～3μm之間，大孔孔徑在10～40μm之間；

步驟2：在高于裂解溫度下對裂解后的材料進行熱處理，熱處理溫度為1300～1500℃，熱處理時間為2～3h，升溫速率為2～5℃/min；熱處理氣氛為氬氣氣氛。

2.根據權利要求1所述無催化先驅體浸漬裂解法原位生長碳化硅納米線的方法，其特征在于：所述溶劑包括但不限于二甲苯或二乙烯基苯。

3.根據權利要求1所述無催化先驅體浸漬裂解法原位生長碳化硅納米線的方法，其特征在于：所述預制體為具有單晶結構的晶須構成。

4.根據權利要求1所述無催化先驅體浸漬裂解法原位生長碳化硅納米線的方法，其特征在于：所述晶須為SiC晶須、氮化硅晶須或碳化鋯晶須。