[發(fā)明專利]一種提高鈉鈣蓋板玻璃介電常數(shù)的涂層的制備方法及應用

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• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN111320933A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設計）人: 丘智林;丘天
• 申請（專利權）人: 河源市東方硅源科技有限公司
• 主分類號: C09D179/08
• 分類號: C09D179/08;C09D7/61;C09D5/24;C03C17/32;C03C17/34;C03C17/42
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本發(fā)明公開了一種提高鈉鈣蓋板玻璃介電常數(shù)的涂層的制備方法及應用，具體包括以下幾個步驟，準備納米二氧化硅、水、助劑以及聚酰亞胺粉末，將水、助劑、納米二氧化硅以及聚酰亞胺粉末按比例混合；混合后，對其進行加熱，并進行攪拌，攪拌完成后進行排泡處理，得到最終涂層。本發(fā)明從配方和制程方面，使用化學涂層的方法提高鈉鈣玻璃的介電常數(shù)，令使用量最大的鈉鈣玻璃有高介電常數(shù)和抗靜電的作用。

技術領域

本發(fā)明涉及一種提高鈉鈣蓋板玻璃介電常數(shù)的涂層的制備方法及應用。

背景技術

中鋁和高鋁玻璃本身具有相對較高的介電常數(shù)，但是這兩類玻璃的原片價格高。鈉鈣玻璃暫時沒有辦法從外界得到更高的介電常數(shù)的方法。

低介電常數(shù)限制了鈉鈣玻璃在很多電子材料方面的應用。例如普通的鈉鈣玻璃撕開其保護膜后，會產(chǎn)生大量的靜電，從而擊穿相近的電子元器件。此例側面證明了當電壓足夠大時，鈉鈣玻璃會產(chǎn)生電流。這對玻璃靠的近的芯片器件有極大的危害。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術問題是一種提高鈉鈣蓋板玻璃介電常數(shù)的涂層及應用，從配方和制程方面，使用化學涂層的方法提高鈉鈣玻璃的介電常數(shù)，令使用量最大的鈉鈣玻璃有高介電常數(shù)和抗靜電的作用。

本發(fā)明是通過以下技術方案來實現(xiàn)的：一種提高鈉鈣蓋板玻璃介電常數(shù)的涂層的制備方法，具體包括以下幾個步驟：

S1、準備納米二氧化硅、水、助劑以及聚酰亞胺粉末，將水、助劑、納米二氧化硅以及聚酰亞胺粉末按比例混合；

S2、混合后，對其進行加熱，并進行攪拌，攪拌完成后進行排泡處理，得到最終涂層。

作為優(yōu)選的技術方案，S2中加熱溫度為200-800度。

作為優(yōu)選的技術方案，S2中攪拌時間為12小時。

作為優(yōu)選的技術方案，其中聚酰亞胺粉末的含量少于或等于總容積的80％。

一種能夠提高鈉鈣蓋板玻璃介電常數(shù)的基材，其特征在于：將涂料使用滾涂/噴涂/壓延方式均勻加工到基材上，加工后，根據(jù)聚酰亞胺的比例，均勻加熱到200-800度，總共加熱時間5-90分鐘，最后采用常溫或者加速冷卻。

作為優(yōu)選的技術方案，基材表面在加工之前，可以先噴涂/滾涂一層二氧化硅在基材的表面，用于增加混合物的穩(wěn)定性。

作為優(yōu)選的技術方案，基材的另一面為空白或者印刷圖案或者進行絲印。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明從配方和制程方面，使用化學涂層的方法提高鈉鈣玻璃的介電常數(shù)，使使用量最大的鈉鈣玻璃有高介電常數(shù)和抗靜電的作用。

具體實施方式

本說明書中公開的所有特征，或公開的所有方法或過程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以以任何方式組合。

本實施例中，(1)準備納米二氧化硅、水、助劑以及聚酰亞胺粉末，將水、助劑、納米二氧化硅以及聚酰亞胺粉末按比例混合；(2)混合后，對其進行加熱，加熱溫度為200-800度，并進行12小時的攪拌，攪拌完成后進行排泡處理，得到最終涂層。

本實施例中，聚酰亞胺粉末的含量少于或等于總容積的80％。

下面，將上述制得的涂料用于制備提高鈉鈣蓋板玻璃介電常數(shù)的基材上，步驟如下：將涂料使用滾涂/噴涂/壓延方式均勻加工到基材上，加工后，根據(jù)聚酰亞胺的比例，均勻加熱到200-800度，總共加熱時間5-90分鐘，最后采用常溫或者加速冷卻。

其中，基材表面在加工之前，可以先噴涂/滾涂一層二氧化硅在基材的表面，用于增加混合物的穩(wěn)定性，當然也可以不加，取決于最終的需求，而基材的另一面可以為空白或者印刷圖案或者進行絲印。