[發(fā)明專利]一種顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010136559.2
• 申請(qǐng)日: 2020-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN113345926A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐兆兵;李富琳;喬明勝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海信視像科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/26
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 馮艷蓮

本發(fā)明公開了一種顯示裝置，包括：襯底基板，具有承載作用；量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件，位于襯底基板之上；量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件包括：底電極，位于襯底基板之上；頂電極，位于底電極背離襯底基板的一側(cè)；功能層，位于底電極和頂電極之間；功能層采用無(wú)機(jī)材料。QLED器件采用無(wú)機(jī)材料進(jìn)行制備，具有更好的抵抗水氧能力，有利于延長(zhǎng)器件的使用壽命。當(dāng)采用無(wú)機(jī)材料制作空穴傳輸層時(shí)，會(huì)造成量子點(diǎn)層和空穴傳輸層之間的非輻射的能量轉(zhuǎn)移，使得QLED器件產(chǎn)生較大泄漏電流，本發(fā)明在空穴傳輸層與量子點(diǎn)層之間設(shè)置一層界面層，由此起到修飾界面，降低界面載流子濃度的作用，從而可以降低泄漏電流，提升全無(wú)機(jī)QLED器件的效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示裝置。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)發(fā)光材料具有發(fā)光光譜可調(diào)節(jié)、發(fā)光色純度高、光化學(xué)穩(wěn)定性及熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，目前已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新型顯示領(lǐng)域。而以量子點(diǎn)材料為發(fā)光材料的量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，簡(jiǎn)稱QLED)，相比于有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱OLED)具有更寬的色域、更高的顯色指數(shù)、更好的溶液加工性能等特性，因此在顯示領(lǐng)域的應(yīng)用前景十分巨大。

目前，QLED的外量子效率已經(jīng)接近當(dāng)前性能最好的OLED。但是QLED器件中常采用有機(jī)材料制作功能層，而有機(jī)材料水氧穩(wěn)定性差，影響其使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種顯示裝置，采用全無(wú)機(jī)材料制作QLED器件，提升器件穩(wěn)定性。

本發(fā)明提供一種顯示裝置，包括：

襯底基板，具有承載作用；

量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件，位于所述襯底基板之上；

所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件包括：

底電極，位于所述襯底基板之上；

頂電極，位于所述底電極背離所述襯底基板的一側(cè)；

功能層，位于所述底電極和所述頂電極之間；所述功能層采用無(wú)機(jī)材料；

所述功能層包括：

量子點(diǎn)層，位于所述底電極和所述頂電極之間；

空穴傳輸層，位于所述底電極與所述量子點(diǎn)層之間；

界面層，位于所述空穴傳輸層與所述量子點(diǎn)層之間，用于阻隔所述量子點(diǎn)層與所述空穴傳輸層之間的能量轉(zhuǎn)移。

在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，在本發(fā)明提供的上述顯示裝置中，所述界面層的材料為過(guò)渡金屬氧化物納米顆粒。

在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，在本發(fā)明提供的上述顯示裝置中，所述過(guò)渡金屬氧化物納米顆粒為四氧化三鐵納米顆粒。

在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，在本發(fā)明提供的上述顯示裝置中，所述四氧化三鐵納米顆粒的粒徑為5nm-20nm。

在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，在本發(fā)明提供的上述顯示裝置中，所述界面層的厚度為1-3個(gè)納米粒子層。

在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，在本發(fā)明提供的上述顯示裝置中，所述空穴傳輸層的材料為金屬氧化物納米顆粒。

在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，在本發(fā)明提供的上述顯示裝置中，所述金屬氧化物納米顆粒為氧化鎢納米顆粒或氧化鎳納米顆粒。

在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，在本發(fā)明提供的上述顯示裝置中，所述功能層還包括：

電子傳輸層，位于所述量子點(diǎn)層與所述頂電極之間。

在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，在本發(fā)明提供的上述顯示裝置中，所述電子傳輸層的材料為氧化鋅納米顆粒。