[發明專利]一種精細線路的雙面板制作方法

在審

• 申請號: 202010136075.8
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN111200903A
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 續振林;陳妙芳;許燕輝
• 申請（專利權）人: 廈門弘信電子科技集團股份有限公司
• 主分類號: H05K1/03
• 分類號: H05K1/03;H05K3/00;H05K3/42;H05K3/06
• 代理公司: 北京康盛知識產權代理有限公司 11331
• 代理人: 梁錦平

1.一種精細線路的雙面板制作方法，其特征在于，工藝制作流程如下：

步驟A：基材下料，基材為PI材料，基材的厚度≥20μm；

步驟B：鐳射鉆孔，將基材進行鐳射鉆孔，最小孔徑≥25μm；

步驟C：等離子處理，等離子處理基材孔內殘膠和清潔基材表面；

步驟D：真空濺鍍，在基材的表面和孔內真空濺鍍上一層導電介質層；

步驟E：第一次鍍銅，在基材的表面及孔內的導電介質層上鍍上一層第一鍍銅層，使基材的表面及孔內具備超薄的基底銅；

步驟F：第二次鍍銅，在第一鍍銅層的基礎上進行加厚鍍銅得到第二鍍銅層，第二鍍銅層的厚度依產品孔銅及細線路制作厚度要求，使基材的表面及孔內具備產品所需的孔銅及細線路所需的面銅；

步驟G：微蝕處理，在銅表面進行微蝕處理，微蝕粗化和清潔銅表面；

步驟H：真空貼膜，在銅表面上真空壓合干膜，干膜的厚度10-20μm；

步驟I：線路曝光，將線路圖形曝光轉移到干膜上，采用LDI曝光機曝光或平行曝光機和玻璃菲林曝光；

步驟J：干膜顯影，將干膜圖形顯影出，顯影點為50-70％；

步驟K：蝕刻脫膜，真空蝕刻去除無干膜覆蓋處的第一鍍銅層和第二鍍銅層，然后脫膜去除干膜層，顯現出線路初步圖形；

步驟L：閃蝕，閃蝕蝕刻去除非線路區域，將線路圖形完全蝕刻出。

2.如權利要求1所述的一種精細線路的雙面板制作方法，其特征在于：步驟B鐳射鉆孔中，最小孔徑為50、75或100μm。

3.如權利要求1所述的一種精細線路的雙面板制作方法，其特征在于：步驟D真空濺鍍中，導電介質層為鎳、鉻、銅、鈦、鋁、鈀或鎘。

4.如權利要求1所述的一種精細線路的雙面板制作方法，其特征在于：步驟D真空濺鍍)中，導電介質層厚度為100-300nm。

5.如權利要求1所述的一種精細線路的雙面板制作方法，其特征在于：步驟E第一次鍍銅中，第一鍍銅層的厚度為2-4μm。

6.如權利要求1所述的一種精細線路的雙面板制作方法，其特征在于：步驟F第二次鍍銅中，第二次鍍銅層的厚度為6-8μm，兩次鍍銅總體面銅厚度為8-12μm。

7.如權利要求1所述的一種精細線路的雙面板制作方法，其特征在于：步驟F第二次鍍銅中，二次鍍銅總體面銅厚度為9μm或12μm。

8.如權利要求1所述的一種精細線路的雙面板制作方法，其特征在于：步驟H真空貼膜中，干膜的厚度為15μm，干膜解析度≤30μm。

9.如權利要求1所述的一種精細線路的雙面板制作方法，其特征在于：步驟L閃蝕中，采用的閃蝕藥水包含有蝕刻抑制劑，蝕刻抑制劑吸附在線路的頂面及側面，線距處沒有吸附或少量吸附蝕刻抑制劑，在閃蝕過程中，線距的導電介質層被快速蝕刻去除，線路的頂面及側面因有蝕刻抑制劑保護被微量均勻蝕刻，得到所需的精細線路。

10.如權利要求1所述的一種精細線路的雙面板制作方法，其特征在于：還包括設置在步驟J之后且位于步驟K之前的步驟M烘干和步驟N等離子處理，步驟M：烘干，烘干板子上水分，烘干溫度80-120℃，烘干時間15-45min；步驟N：等離子處理，等離子處理去除線距處的干膜根部邊緣殘膠。