[發明專利]一種多界面非晶納米晶電磁屏蔽復合材料在審
| 申請號: | 202010135615.0 | 申請日: | 2020-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN111321408A | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 黎嘉威;馬澤南;賀愛娜;董亞強 | 申請(專利權)人: | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號: | C23C28/02 | 分類號: | C23C28/02;C23C18/16;C23C18/32;C23C18/38;C25D5/12;H05K9/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 界面 納米 電磁 屏蔽 復合材料 | ||
1.一種多界面非晶納米晶電磁屏蔽復合材料,其特征在于,所述復合材料包括:鐵基非晶納米晶帶材;
導電層,包覆于所述鐵基非晶納米晶帶材的表面,和
導磁層,包覆于所述導電層的表面,
所述復合材料具有導磁層/導電層/導磁層/導電層/導磁層的多界面結構。
2.如權利要求1所述的復合材料,其特征在于,所述導電層選自下組:Cu層、Ag層、Zn層、Ni-Cu-P層、多壁碳納米管(MWCNT)層或其組合。
3.如權利要求1所述的復合材料,其特征在于,所述導磁層選自下組:Fe層、Ni層、Co層、Fe2O3層或其組合。
4.如權利要求1所述的復合材料,其特征在于,所述導電層的厚度為50nm~2μm;所述導磁層的厚度為50nm~2μm。
5.如權利要求1所述的復合材料,其特征在于,所述的鐵基非晶納米晶帶材的厚度為10~20μm。
6.如權利要求1所述的復合材料的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
(i)采用化學鍍或電鍍在鐵基非晶納米晶帶材的表面鍍導電層;
(ii)采用化學鍍或電鍍在導電層表面鍍導磁層,從而得到所述復合材料。
7.如權利要求6所述的方法,其特征在于,通過電鍍溶液進行電鍍獲得導電層,其中,所述電鍍溶液組分及實驗條件如下:
電鍍Cu液:主鹽:CuSO4,80~100g/L;助溶劑:H2SO4,50~80g/L;HCl:0.02~0.1g/L;光亮劑:C3H5NS2,0.0005~0.003g/L;穩定劑:C12H25SO4Na,0.01~0.2g/L;
實驗條件:溫度:10~30℃;電流密度:1~5A/dm2;時間1~60min。
8.如權利要求6所述的方法,其特征在于,通過電鍍溶液進行電鍍獲得導磁層,其中,所述電鍍溶液組分及實驗條件如下:
電鍍Ni液:主鹽:NiSO4,50~100g/L;助溶劑:NaCl,7~10g/L;PH穩定劑:H3BO3,1~50g/L;導電劑Na2SO4,50~100g/L;穩定劑:C12H25SO4Na,0.01~0.2g/L;
實驗條件:溫度:20~50℃;電流密度:0.5~1.5A/dm2;時間3~60min。
9.如權利要求6所述的方法,其特征在于,通過化學鍍溶液進行化學鍍獲得導磁層,所述化學鍍溶液組分及實驗條件如下:
化學鍍Ni液:主鹽:NiSO4·6H2O,10~30g/L;還原劑:NaH2PO2·H2O,10~40g/L;絡合劑:Na3C6H5O7·2H2O,5~20g/L;緩沖劑:NaC2H3O2·3H2O,10~30g/L;配位體:C3H6O3,5~15mL/L;穩定劑:CH4N2S,0.001~0.005g/L;
實驗條件:溫度:30~100℃;PH:3~9;時間1~30min。
10.如權利要求6所述的方法,其特征在于,通過化學鍍溶液進行化學鍍獲得導電層,所述化學鍍溶液組分及實驗條件如下:
化學鍍Cu液:主鹽:CuSO4·5H2O,1~10g/L;還原劑:NaH2PO2·H2O,20~40g/L;絡合劑Na3C6H5O7·2H2O,5~20g/L;緩沖劑:NaC2H3O2·3H2O,5~35g/L或Na2CO3,5~30g/L;配位體:C3H6O3,5~15mL/L;穩定劑:CH4N2S,0.001~0.005g/L;
實驗條件:溫度:30~100℃;PH:3~9;時間1~30min。
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