[發明專利]合金和用于制備磁芯的方法有效
| 申請號: | 202010135613.1 | 申請日: | 2020-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN111640550B | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發明(設計)人: | 吉塞赫爾·赫擇;維多利亞·布丁斯克;克里斯緹安·波拉克 | 申請(專利權)人: | 真空融化股份有限公司 |
| 主分類號: | H01F1/153 | 分類號: | H01F1/153;H01F41/02;H01F3/04;H01F27/25;C22C38/10;C22C38/08;C22C38/16;C22C38/04;C22C38/12;C22C38/14;C22C38/02;C22C38/42;C22C38/44;C22C38/46 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 陳宇;尹淑梅 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 合金 用于 制備 方法 | ||
1.一種磁芯,所述磁芯通過下述步驟來制備:
將由非晶態合金制成的帶纏繞成環形帶芯,所述非晶態合金由式FeaCobNicCudMeSifBgXh表示,其中M是元素V、Nb、Ta、Ti、Mo、W、Zr、Cr、Mn和Hf中的至少一種,a、b、c、d、e、f、g是按原子%計的,X指示雜質及可選的元素P、Ge和C,且a、b、c、d、e、f、g、h滿足以下條件:
0≤b≤4
0≤c4
0.5≤d≤2
2.5≤e≤3.5
14.5≤f≤16
6≤g≤7
h0.5
1≤(b+c)≤4.5
其中a+b+c+d+e+f+g=100,
在橫穿帶長度方向上施加從80kA/m至200kA/m的磁場的情況下對所述環形帶芯熱處理,并且以五個階段進行熱處理以獲得合金,其中,
在階段1中經過從時間點t0直至時間點t1的持續時間從室溫加熱到T1,其中300℃≤T1≤500℃且t1-t0為0.5h至2h,
在階段2中經過從時間點t1直至時間點t2的持續時間從T1加熱到T2,其中400℃≤T2≤600℃且t2-t1為0.5h至6h,
在階段3中經過從時間點t2直至時間點t3的持續時間從T2加熱到T3,其中400℃≤T3≤650℃且t3-t2為0h至1h,
在階段4中在從時間點t3直至時間點t3-1的持續時間保持溫度T3,其中t3-1-t3為0.25h至3h,以及
在階段5中經過從時間點t3-1直至時間點t4的持續時間從T3冷卻到室溫,其中t4-t3-1為2h至4h,
其中,在所述熱處理之后,所述合金
具有其中至少50體積%的晶粒的平均尺寸小于100nm的納米晶組織,
具有≤1ppm的飽和磁致伸縮|λs|,
具有擁有中央線性部分的滯后回線,
具有10000至15000的磁導率μ,并且
具有1.5%的剩磁比Br/Bs。
2.根據權利要求1所述的磁芯,其中,|λs|≤0.5ppm。
3.根據權利要求1所述的磁芯,其中,所述合金具有10000至12000的磁導率μ。
4.根據權利要求1所述的磁芯,其中0.2≤c4。
5.根據權利要求1所述的磁芯,其中,0.5≤c4。
6.根據權利要求1所述的磁芯,其中,0.2≤c≤3。
7.根據權利要求1所述的磁芯,其中,0.5≤c≤3。
8.根據權利要求1所述的磁芯,其中0.2≤b4。
9.根據權利要求1所述的磁芯,其中0.5≤b≤4。
10.根據權利要求1所述的磁芯,其中0.2≤b≤3。
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