[發明專利]鍵合裝置以及鍵合方法

有效

• 申請號: 202010135241.2
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN111696876B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發明（設計）人: 高定奭;李恒林;金旼永;金度延;樸志焄;張秀逸;金光燮
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 鐘錦舜;趙瑞

1.一種鍵合方法，其在第一基板上鍵合包括管芯或第二基板的鍵合對象，其特征在于，包括：

在所述第一基板上配置所述鍵合對象；以及

通過在所述第一基板與所述鍵合對象之間形成電壓的陽極鍵合，在所述第一基板上鍵合所述鍵合對象，

其中鍵合所述鍵合對象包括：

將能夠進行等離子體放電的等離子體裝置的等離子體尖端放置于所述鍵合對象的上部；以及

在將所述等離子體尖端從所述鍵合對象的上部面隔開規定距離的狀態下，在所述等離子體尖端形成電位，以非鍵合方式在所述鍵合對象與所述第一基板之間施加用于所述陽極鍵合的電壓，以將所述鍵合對象陽極鍵合到所述第一基板上；并且

其中鍵合所述鍵合對象還包括：

將所述等離子體尖端沿著平行于所述鍵合對象的鍵合面的X軸以及垂直于所述X軸的Y軸方向移動的同時進行所述陽極鍵合，在所述第一基板上鍵合作為大面積基板提供的所述鍵合對象，或在作為大面積基板提供的所述第一基板上，鍵合一個以上的所述鍵合對象。

2.根據權利要求1所述的鍵合方法，其特征在于，還包括：

在所述第一基板上配置所述鍵合對象之前，對所述第一基板上的鍵合區域以及所述鍵合對象的鍵合面中的至少一個，通過等離子體處理進行親水化；以及

在所述第一基板上，配置所述鍵合對象之前，通過在所述第一基板上的鍵合區域以及所述鍵合對象的鍵合面中的至少一個噴射液體來形成水膜。

3.根據權利要求2所述的鍵合方法，其特征在于，

在所述第一基板上配置所述鍵合對象，包括：

通過在所述第一基板與所述鍵合對象之間形成的水膜的鍵合力，在所述第一基板上，預鍵合所述鍵合對象。

4.根據權利要求2所述的鍵合方法，其特征在于，

所述進行親水化，包括：

通過所述等離子體尖端產生等離子體，對所述第一基板上的鍵合區域以及所述鍵合對象的鍵合面中的至少一個進行親水化。

5.根據權利要求1所述的鍵合方法，其特征在于，

所述規定距離為大于0mm且小于1cm。

6.根據權利要求1所述的鍵合方法，其特征在于，

施加用于所述陽極鍵合的電壓，包括：

在與所述第一基板的下部面接觸的第一電極與設置于所述等離子體尖端的第二電極之間，形成用于所述陽極鍵合的電位差。

7.根據權利要求6所述的鍵合方法，其特征在于，

所述陽極鍵合在常溫以及常壓下進行，所述電位差為100V以上。

8.根據權利要求2所述的鍵合方法，其特征在于，還包括：

用鍵合頭拾取支撐在支撐單元上的所述鍵合對象，向支撐在鍵合臺上的所述第一基板的上部區域移送，

所述進行親水化是，在所述鍵合對象的移送期間，通過所述等離子體尖端，對所述鍵合對象的鍵合面進行等離子體處理，以進行親水化。

9.一種在第一基板上鍵合包括管芯或第二基板的鍵合對象的鍵合裝置，其特征在于，包括：

等離子體裝置，設置有能夠進行等離子體放電的等離子體尖端；

電壓形成部，在所述第一基板與所述第一基板上配置的所述鍵合對象之間形成用于陽極鍵合的電壓，所述電壓形成部被配置為向位于所述鍵合對象的上部的所述等離子體尖端施加用于所述陽極鍵合的電位；以及

驅動部，將所述等離子體裝置沿著水平方向以及上下方向移動，通過所述驅動部，將所述等離子體沿著尖端所述水平方向以及所述上下方向移動的同時，進行所述陽極鍵合，在所述第一基板上鍵合作為大面積基板提供的所述鍵合對象，或在作為大面積基板提供的所述第一基板上，鍵合所述鍵合對象。

10.根據權利要求9所述的鍵合裝置，其特征在于，

所述電壓形成部，與所述第一基板的下部面接觸的第一電極與設置于所述等離子體尖端的第二電極之間，形成用于所述陽極鍵合的電位差。